摘要
砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料,具有优异的电子传输性能和光电特性,
在微电子和光电子领域有着广泛的应用。其高速、高效的光电特性可以用来制备不同用
途的光电器件。而光电导天线是一种在光通信系统中被广泛应用的光电器件,其向外辐
射产生的太赫兹波(THz)可用作6G频段的信号。光电导天线产生太赫兹的方案具有
结构简单、辐射稳定、带宽高等优点。
传统的光电导天线由一组电极和半导体衬底组合而成,其衬底往往选用GaAs材料。
光的透射和散射大大降低了衬底表面的光吸收和空间电场强
摘要
砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料,具有优异的电子传输性能和光电特性,
在微电子和光电子领域有着广泛的应用。其高速、高效的光电特性可以用来制备不同用
途的光电器件。而光电导天线是一种在光通信系统中被广泛应用的光电器件,其向外辐
射产生的太赫兹波(THz)可用作6G频段的信号。光电导天线产生太赫兹的方案具有
结构简单、辐射稳定、带宽高等优点。
传统的光电导天线由一组电极和半导体衬底组合而成,其衬底往往选用GaAs材料。
光的透射和散射大大降低了衬底表面的光吸收和空间电场强
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