电导率迁移率霍耳效应.pptVIP

4.5电导率和迁移率;;二、电流密度;

三、漂移速度和迁移率;图中截面积为s的均匀样品，

内部电场为|E|，电子浓度为n。

在其中取相距为的A和B两

个截面，这两个截面间所围成

的体积中总电子数为，

这N个电子经过t时间后都将通过A面，因此按照电流强度的定义

与电流方向垂直的单位面积上所通过的电流强度定义为电流密

度，用J表示，那么

;对掺杂浓度一定的半导体，当外加电场恒定时，平均漂移速度应不变，相应的电流密度也恒定；

电场增加，电流密度和平均漂移速度也相应增大。即平均漂移速度与电场强度成正比例

;四、半导体的电导率和迁移率;

在电场强度不是很大的情况下;n型半导体，np,σ=nqμn;

p型半导体，pn,σ=pqμp;

本征型半导体，n=p=ni,σi=niq(μn+μp)

;问题：F=m*a,如果电场恒定是否

载流子不断加速，速度越来越大？;五、载流子的散射

;

另一方面，载流子受电场力作用，沿电场方向（空穴）或反电场方向（电子）定向运动。

二者作用的结果是载流子以一定的平均漂移速度做定向运动。

电场对载流子的加速作用只存在于连续的两次散射之间。

而“自由”载流子只是在连续的两次散射之间才是“自由”的。

平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程

平均自由时间：连续两次散射间的平均时间;2半导体的主要散射机构;（1）.电离杂质散射

施主杂质在半导体中未电离时是中性的，电离后成为正电中心，而受主杂质电离后接受电子成为负电中心，因此离化的杂质原子周围就会形成库仑势场，载流子因运动靠近后其速度大小和方向均会发生改变，也就是发生了散射，这种散射机构就称作电离杂质散射。;电离杂质对电子和空穴的散射;为描述散射作用强弱，引入散射几率P，它定义为单位时间内

一个载流子受到散射的次数。

如果电离杂质浓度为Ni，电离杂质散射的散射几率Pi与Ni及

其温度的关系为

上式表明：

Ni越高，载流子受电离杂质散射的几率越大；

温度升高导致载流子的热运动速度增大，从而更容易掠过电离杂质周围的库仑势场，遭电离杂质散射的几率反而越小。;说明：

对于经过杂质补偿的n型半导体，在杂质充分电离时，补偿后的有效施主浓度为ND-NA，导带电子浓度n0=ND-NA；

而电离杂质散射几率Pi中的Ni应为ND+NA，因为此时施主和受主杂质全部电离，分别形成了正电中心和负电中心及其相应的库仑势场，它们都对载流子的散射作出了贡献，这一点与杂质补偿作用是不同的。;（2）晶格振动散射;由N个原胞(每个原胞含由两个原子组成）组成的一块半导体，共有6N个格波，分成六支。

其中频率低的三支称为声学波，三支声学波中包含一支纵声学波和二支横声学波。

六支格波中频率高的三支称为光学波，三支光学波中也包括一支纵光学波和二支横光学波。

波长在几十个原子间距以上的所谓长声学波对散射起主要作用，而长纵声学波散射更重要。;纵声学波相邻原子振动相位一致，结果导致晶格原子分布疏密改变，产生了原子稀疏处体积膨胀、原子紧密处体积压缩的体变。

原子间距的改变会导致禁带宽度产生起伏，使晶格周期性势场被破坏，如图所示。

长纵声学波对导带电子的散射几率Ps与温度的关系为

;光学波对载流子的散射几率Po为

式中为纵光学波频率，是随变化的函数，

其值为0.6~1。Po与温度的关系主要取决于方括号项，低温下Po较小，温度升高方括号项增大，Po增大。

;（3）其它因素引起的散射;若掺杂浓度一定，lnμ~T的关系为：;NI↑→电离杂质散射渐强→μ随T下降的趋势变缓

NI很大时（如1019cm-3）,在低温的情况下,T↑,μ↑（缓慢）,说明杂质电离项作用显著;在高温的情况下,T↑,μ↓，说明晶格散射作用显著.;室温下迁移率与杂质浓度关系;七电阻率与杂质浓度和温度的关系;1电阻率与杂质浓度的关系;300K时电阻率ρ与杂质浓度的实验曲线

;2电阻率与温度的关系;杂质激发的范围，主要是一种载流子;;①低温区：

温度很低，本征激发可以忽略不计，载流子主要由杂质电离提供。载流子随温度升高而增加。

散射由电离杂质决定，迁移率也随温度升高而加大。

T↑,n,p↑,μ↑

电阻率随温度升高而下降;②温度升高到杂质饱和电离区：

杂质已全部电离，本征激发还不显著，载流子浓度基本不变

晶格振动散射是主要的.随着温度T的升高,迁移率下降,

T↑→μ↓→