第2章+半导体二极管与其基本应用电路.pptxVIP

第2章+半导体二极管与其基本应用电路第一页，共31页。

2.2半导体基础知识半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如：Si、Ge、GaAs。半导体的导电能力除了自身材质以外，还与以下因素有关：温度；光照、磁场、电场；掺入杂质。第二页，共31页。

2.2.1本征半导体4价元素的共价键结构本征半导体：完全纯净的半导体。第三页，共31页。

载流子的产生和复合2.2.1本征半导体两种载流子：自由电子和空穴本征激发动态平衡第四页，共31页。

2.2.2杂质半导体N型半导体的共价键结构P型半导体的共价键结构多子和少子掺杂浓度温度第五页，共31页。

2.3PN结2.3.1PN结的形成PN结的形成第六页，共31页。

1.PN结正偏——低阻2.3.2PN结的单向导电性扩散电流限流电阻第七页，共31页。

2.PN结反偏——高阻2.3.2PN结的单向导电性漂移电流第八页，共31页。

PN结的势垒电容2.3.3PN结的电容效应1.势垒电容第九页，共31页。

2.扩散电容PN结的扩散电容2.3.3PN结的电容效应第十页，共31页。

2.4半导体二极管2.4.1二极管的结构和符号二极管的结构示意图(a)点接触型(b)面接触型(c)平面型二极管的符号第十一页，共31页。

2.4.2二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线(a)测试电路(b)特性曲线伏安特性方程第十二页，共31页。

正向特性硅二极管的Uth大约在0.5V；锗二极管的Uth大约在0.1V。2.4.2二极管的伏安特性第十三页，共31页。

反向特性2.4.2二极管的伏安特性反向击穿：雪崩击穿和齐纳击穿。第十四页，共31页。

温度对硅二极管伏安特性曲线的影响2.4.2二极管的伏安特性第十五页，共31页。

2.4.3二极管的主要参数(1)最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向平均电流。(2)最大反向工作电压URM——二极管安全工作时，所能承受的最大反向电压。一般URM约为反向击穿电压UBR的一半。(3)反向电流IR——一般是指二极管未击穿时的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。(4)最高工作频率fM——二极管工作的上限频率，由PN结的结电容大小决定。二极管的工作频率超过fM时，单向导电性变差。第十六页，共31页。

国家标准对半导体二极管的命名如下:2CP10 第二位：A—N型锗管B—P型锗管C—N型硅管D—P型硅管第三位：P小信号管、X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、Z整流管用字母表示材料用字母表示器件的类别用数字表示序号用字母表示规格号用数字表示电极数2.4.4二极管的型号及选择1.型号第十七页，共31页。

（1）要求正向压降小应选（）管；2.4.4二极管的型号及选择2.选用二极管的一般原则（同步练习）（2）要求反向电流小应选（）管；（3）要求反向击穿电压大应选（）管；（4）要求耐高温应选（）管；A.锗B.硅（5）要求工作电流大应选（）接触型管；（6）要求工作频率高应选（）接触型管。A.面接触B.点接触第十八页，共31页。

2.4.5二极管的等效模型理想模型在信号幅值远远大于二极管的正向压降，可以忽略二极管正向压降和反向电流。1.理想模型第十九页，共31页。

恒压降模型当工作电流较大，在一定范围内端电压不变，此时二极管可以用一个理想二极管串联一个恒压源UD表示。（硅管的正向压降UD=0.7V）2.恒压降模型2.4.5二极管的等效模型第二十页，共31页。

QQ除直流信号外，再引入交流小信号。动态变化量之间的关系可以用伏安特性曲线在Q点处的切线近似表示。该切线斜率的倒数为电阻rd，称为动态（交流）电阻。二极管的动态电阻的物理意义3.小信号模型2.4.5二极管的等效模型第二十一页，