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第一章薄膜及其特性;薄膜材料的特殊性

;（1）表面能级很大;（2）薄膜和基片的粘附性;基片和薄膜属于不同种物质，附着现象所考虑的对象是二者间的边界和界面。

二者之间的相互作用能就是附着能，附着能可看成是界面能的一种。附着能对基片-薄膜间的距离微分，微分最大值就是附着力。;;;实验结果表明：;一般来说，表面能是指建立一个新的表面所需要的能量。

金属是高表面能材料，而氧化物是低表面能材料。

表面能的相对大小决定一种材料是否和另一种材料相湿润并形成均匀黏附层。

具有非常低表面能的材料容易和具有较高表面能的材料相湿润。反之，如果淀积材料具有较高表面能，则它容易在具有较低表面能衬底上形成原子团（俗称起球）。;氧化物具有特殊的作用。即使对一般的金属来说不能牢固附着的塑料等基片上也能牢固附着。

Si、Cr、Ti、W等易氧化（氧化物生成能大）物质的薄膜都能比较牢固地附着。

若在上述这些物质的薄膜上再沉积金属等，可以获得附着力非常大的薄膜。

为增加附着力而沉积在中间的过渡层薄膜称为胶粘层（glue），合理地选择胶粘层在薄膜的实际应用是极为重要的。;（3）薄膜中的内应力;一般说来，薄膜往往是在非常薄的基片上沉积的。在这种情况下，几乎对所有物质的薄膜，基片都会发生弯曲。

弯曲有两种类型：一种是弯曲的结果使薄膜成为弯曲面的内侧，使薄膜的某些部分与其他部分之间处于拉伸状态，这种内应力称为拉应力。

另一种是弯曲的结果使薄膜成为弯曲的外侧，它使薄膜的某些部分与其他部分之间处于压缩状态，这种内应力称为压应力。

如果拉应力用正数表示，则压应力就用负数表示。;真空蒸镀膜层的应力值情况比较复杂。

在溅射成膜过程中，薄膜的表面经常处于高速离子以及中性粒子的轰击之下，在其他参数相同的条件下，放电气压越低，这些高速粒子的能量越大。与薄膜相碰撞的高速粒子会把薄膜中的原子从阵点位置碰撞离位，并进入间隙位置，产生钉扎效应（pinningeffect）。

或者这些高速粒子自己进入晶格之中。这些都是产生压应力的原因。因此，溅射薄膜中的内应力与溅射条件的关系???密切。;（4）异常结构和非理想化学计量比特性;化合物的计量比，一般来说是完全确定的。但是

多组元薄膜成分的计量比就未必如此了。

当Ta在N2的放电气体中被溅射时，对应于一定的N2分压，其生成薄膜的成分却是任意的。;（5）量子尺寸效应和界面隧道穿透效应;另外，表面中含有大量的晶粒界面，而界面势垒;（6）容易实现多层膜;多功能薄膜：

各膜均有一定的电子功能，如非晶硅太阳电池:玻璃衬底/ITO（透明导电膜）/P-SiC/i-μc-Si/n-μc-Si/Al和a-Si/a-SiGe叠层太阳电池:玻璃/ITO/n-a-Si/i-a-Si/P-a-Si/n-a-Si/i-a-SiGe/P-a-Si/Al至少在8层以上，总膜厚在0.5微米左右。

;超晶格膜:

是将两种以上不同晶态物质薄膜按ABAB……排列相互重在一起，人为地制成周期性结构后会显示出一些不寻常的物理性质。如势阱层的宽度减小到和载流子的德布罗依波长相当时，能带中的电子能级将被量子化，会使光学带隙变宽，这种一维超薄层周期结构就称为超晶格结构。

当和不同组分或不同掺杂层的非晶态材料（如非晶态半导体）也能组成这样的结构，并具有类似的量子化特性，如a-Si?:?H/a-Si1-xNx?:?H,a-Si?:?H/a-Si1-xCx?:?H……。应用薄膜制备方法，很容易获得各种多层膜和超晶格。

;第二节薄膜材料的分类;按薄膜的功能及其应用领域分为：;（1）电学薄膜;（2）光学薄膜;（3）硬质膜、耐蚀膜、润滑膜;（4）有机分子薄膜;（5）装饰膜、包装膜;第三节薄膜的形成过程;一、化学气相沉积薄膜的形成过程;;二、真空蒸发薄膜的形成过程;（一）凝结过程;（二）薄膜的形成与生长;三、溅射薄膜的形成过程;四、外延薄膜的生长;第四节薄膜的结构特征与缺陷;一、薄膜的结构;（一）薄膜的组织结构;1．无定形结构;2．多晶结构;3．纤维结构;4．单晶结构;（二）薄膜的晶体结构;谢谢大家！