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静电在电子业中的破坏模式
令静电破坏防御的重要性
一些不正确的观念
静电破坏防御的基本要求 静电破坏防御原理;
静止未流动的电荷。能够长时间停留在某些物料上。
当两个带不同静电电位的物件相互接近到某程度或接确时,静电从一个物件突然流放到另一个物件上的现象。
库伦Coulomb(C);;;
力:
力作用在两点的直接连线方向上
力的大小和电荷量的乘积成正比;
电场和电力线;
原子添加失去电子
正离子和负离子
正离子和自由电子
电子不能够被生产,它们一直出现在原子中!;
接触分离(最常见的“摩擦”) 电感应
电容效应
压电效应
电容效应只增加静电破坏的风险程度,并没有改变电荷量!;
;;
玻璃
尼龙Nylon
铅
铝
纸
聚氨脂
镍,铜,银
硬橡胶
聚酯Polyester聚丙烯Acrylic;
湿度的考虑
空气中的水气增加空气的导电性,因此减少静电的产生或累积。。。
相对湿度越高越好(60%)
高湿度对于一些考虑(例如腐蚀、污染)不利
折中湿度要求40%~60%
低于30%的湿度对于class1防御要求十分困难
干燥而带杂质的空气,在高速流动下(如清洁;
典型的静电量
Relativehumidity;什么湿度适合?
重要的观念。。。
湿度不应该作为主要的ESD控制手
段!
只能作为后备的“安全网”!
湿度的作用类似离子风机,但效率较低。而且湿度控制的成本也可能十分可观。;
绝缘体不能够被电感生电!;;
强大的电场使附近
的空气离子化,异
性相吸;;
放电速度
决定静电放电速度的主要因素:;;
ESD破坏
即使是相当小的静电放电也可能损坏电子器件!;
常见的破坏有:
Oxide击穿
界面过热烧损
金属熔化
以上的混合模式;;
日本调查数据
ESDalone;
ESD破坏的风险
微型化和更高度集成不利于静电防御。。。;;
缺乏管制意识的主要原因
人体能感觉出静电存在的水平为2,000~4,000
volts,但敏感器件只须100volts便能被损坏
(大部分1,000volts);
染大部分的静电破坏是潜在的,并不能够被马上识别出;
静电破坏??象有较差的重复性,并且不容易模
拟;
±找出静电破坏的证据和根源一般相当不容易,;
静电和人体感觉
和电子器件相比之下,我们感性极差……;
静电和人体感觉
以电荷量来看……
人体可感觉到:300nC的放电很敏感的器件的危险水平:0.1nC的放电多数敏感器件的危险水平:数十nC的放电
100~300倍的差异!;
ESD敏感度的分档
分档的目的:
不同的敏感度需要不同的控制做法
太多的管制增加成本以及操作困;
ESD敏感度的分档
业界有不同的标准……
MIL-STD-1686推荐
ClassⅠ:0~1,999volts
ClassⅡ:2,000~3,999volts
ClassⅢ:4,000~8,000volts
ATT内部标准HewlettPackard内部标准;
Class;
ESDmodel;
ESD敏感度的分档
HBM模式在业界中是最常用的,不过器件还可能在其他如MM或CDM模式下被破坏,甚至更容易遭受破坏。所以了解您的供应商的测量模式的关键的。;
有E三S种D途破径坏可以对ESDS器件造成破
坏:
对ESDS器件直接放电
从ESDS器件对外放电
间接对ESDS器件放电(也被称为EMI感应破坏)
绝缘体和导体
绝缘体是个问题,因为静
电可以产生和累积其上。
最终造成电晕放电感破坏现象。;
ESD破坏种类
严重损坏:完例全如失去功能化、短路等。
局部损坏:部分功能退化。;;
ESD破坏种类比例
(电子业界预计)
严重损坏10%;
潜在损坏的特性
潜在损坏的破坏力强大……
占所有损坏的主要成分无法及时发现
发现和证明都有一定难度很难和成因挂钩
维修和处理成本较高
较难推动成因改正工作;
ESD破坏模式
3种常见的破坏模式:
对器件放
电……
人体模式HumanBodyModel(HBM) 机器模式MachineModel(MM)
从器件放电……;
模式电路模拟带电人体对器件放电的情况
70和80年代的主要破坏模式,在今天仍有
重要地位
随着人体接地应用、器件保护设计、以及
自动的普及,相对重要性在衰减中
在维修保养作业中容易被忽略(尤其是在Fieldservice方面);;;
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