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摘要
室内外的有毒有害气体对环境和人体健康造成了严重的威胁，使用有效的手
段进行监测显得尤为重要。基于金属氧化物半导体（MOS）的气体传感器因制作
成本低，灵敏度高等特点已成为检测有毒有害气体的重要元件之一。金属氧化物
气体传感器的气敏机理的基础主要是发生在金属氧化物半导体表面的气-气反应，
这一过程中氧离子吸附-脱附以及与目标气体的反应起到了关键作用。金属氧化物
表面少量的缺陷态能够极大的影响其材料的物理化学特性（如吸附特性，催化反
应活性等），在各类缺陷中，氧空位是最常见并且研究最多的一种阴离
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