第1章二极管及三极管.pptVIP

1.4稳压二极管前一页后一页1.符号UZIZIZM?UZ?IZUI2.伏安特性稳压管正常工作时加反向电压使用时要加限流电阻稳压管反向击穿后，电流变化很大，但电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。返回-+第29页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.主要参数前一页后一页(1)稳定电压UZ稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。(2)电压温度系数?ｕ环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。(3)动态电阻(4)稳定电流IZ、最大稳定电流IZM(5)最大允许耗散功率PZM=UZIZM愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。返回第30页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.5半导体三极管1.5.1基本结构BECNNP基极发射极集电极PNP集电极基极发射极BCENPN型PNP型后一页前一页返回第31页，共54页，星期日，2025年，2月5日BECNNP基极发射极集电极后一页前一页集电区：面积最大基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结返回第32页，共54页，星期日，2025年，2月5日符号：BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管后一页前一页返回第33页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.5.2电流放大原理BECNNPEBRBECRC1.三极管放大的外部条件发射结正偏、集电结反偏PNPVBVEVCVB从电位的角度看：NPN发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB后一页前一页返回第34页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.010.020.030.040.050.0010.501.001.702.503.300.0010.511.021.732.543.35结论1）三电极电流关系IE=IB+IC2）IC?IE，IC??IB3）?IC???IB把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。后一页前一页返回第35页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBEC基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。IBE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。ICE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBO后一页前一页返回第36页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBOICIBIC=ICE+ICBO?ICE后一页前一页IB=IBE-ICBO?IBE返回第37页，共54页，星期日，2025年，2月5日ICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数集－射极穿透电流温度??ICEO?常用公式后一页前一页返回第38页，共54页，星期日，2025年，2月5日第1页，共54页，星期日，2025年，2月5日参考：

1.秦增煌《电工学电子技术》2.康华光《电子技术基础》电子技术：模拟电子技术数字电子技术第2页，共54页，星期日，2025年，2月5日器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差，工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。第3页，