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工科平台彭思源晶体位错
位错是晶体中局部滑移区域的边界线，即是晶体中的一种线缺陷；它是决定金属等晶体力学性质的基本因素，也对晶体的其他许多性质（包括晶体生长）有着严重的影响。
螺旋位错晶体位错01刃位错(棱位错)0203……04
半导体中位错可起一定的施主和受主作用……位错将促进杂质的沉积位错可使能带发生变化位错是散射载流子的中心位错起复合中心作用NotGood！
根据华北光电技术研究所的一个实验σ0∝1/(2/Rh-1)(σ0为有效热应力，R为晶体半径，h为热交换系数)(有效热应力引起晶体位错)(随着晶体半径的加大,晶体内热应力增大,晶体位错增多)
当由环境冷却晶体变为环境加热晶体时，热应力递减。环境温度应尽可能高于晶体温度How
Success实验结果显示，加上保温罩后锑化铟晶体位错密度明显降低！
与超导的联系目前位错理论不仅仅局限于塑性变形等问题,在滞弹性、断裂、相变、晶体的电磁性能、晶体的光学性质以及超导体等领域位错理论也愈来愈重要。01……透射电子显微镜(TEM)观察表明沿C方向的位错缺陷会影响超导性能。该研究结果可能从结构的观点提供FEP体系超导体的新解释。02报道在YBa2Cu3Ox单晶(100)/(010)晶面上观察到螺旋状生长丘,该晶面上螺旋位错密度达105个/cm2,低于YBa2Cu3Ox（001）面上的位错密度(约109个/cm2）,讨论了与螺旋生长机制相关联的缺陷及其临界电流密度的影响。03
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