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13级期末复习题库典例解答

电子科技大学/命题

陈卉/转载

王嘉达/整理

【习题压得准五杀跑不了】

微电子器件（陈星弼·第三版）

电子工业出版社

◎前言◎

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期末考试！

微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学院/——1

陈卉/题目王嘉达/答案答案为个人整理，如有错误请仔细甄别！厚德博学求是创新

163

1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA1.510cm，则室温下该区的平衡多

163143

子浓度p与平衡少子浓度n分别为（NA1.510cm）和（NA1.510cm）。

p0p0

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（负）电荷，N区一侧带（正）电荷。内建电

场的方向是从（N）区指向（P）区。[发生漂移运动，空穴向P区，电子向N区]



3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（dEqu）。由此方程可以看

dxSD

出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（大）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（小），内建电场的最大值就越（大），

内建电势V就越（大），反向饱和电流I就越（小）[P20]，势垒电容C就越（大），

bi0T

雪崩击穿电压就越（小）。

KTNN

5、硅突变结内建电势V可表为（vlnAD）[P9]在室温下的典型值为（0.8V）

bibi2

qni

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提高）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n与外加电压V之间的关系可表示为

p

qv173

（）P18。若P型区的掺杂浓度N1.510cm