基于X射线吸收谱学的Ⅱ-Ⅵ族纳米结构半导体微观特性解析与应用拓展.docx

基于X射线吸收谱学的Ⅱ-Ⅵ族纳米结构半导体微观特性解析与应用拓展

一、引言

1.1研究背景与意义

1.1.1Ⅱ-Ⅵ族纳米结构半导体概述

Ⅱ-Ⅵ族纳米结构半导体是由元素周期表中Ⅱ族（如锌Zn、镉Cd、汞Hg等）和Ⅵ族（如硫S、硒Se、碲Te等）元素组成的半导体材料，其在纳米尺度下展现出独特的物理和化学性质。由于量子尺寸效应、表面效应等，Ⅱ-Ⅵ族纳米结构半导体的电子态被量子化，与体相材料相比，拥有更宽的能带间隙，这使得它们在光电器件领域展现出巨大的应用潜力。

以量子点为例，作为Ⅱ-Ⅵ族纳米结构半导体的典型代表，因其尺寸微小，电子在三维空间上的运动均受到限制，