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3nm以下GAAFET工艺研发进展对智能穿戴设备芯片的推动作用报告.docx

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    3nm以下GAAFET工艺研发进展对智能穿戴设备芯片的推动作用报告模板范文

    一、3nm以下GAAFET工艺研发进展概述

    1.1GAAFET工艺的技术背景

    1.23nm以下GAAFET工艺的研发进展

    1.2.1台积电

    1.2.2三星电子

    1.2.3英特尔

    1.33nm以下GAAFET工艺对智能穿戴设备芯片的推动作用

    二、3nm以下GAAFET工艺在智能穿戴设备芯片中的应用前景

    2.1智能穿戴设备对芯片性能的需求

    2.2GAAFET工艺在提高性能方面的优势

    2.3GAAFET工艺在降低功耗方面的优势

    2.4GAAFET工艺在减小体积方面的优势

    2.5GAAF

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