第四章 场效应管及基本放大电路.pptVIP

第1页，共28页，星期日，2025年，2月5日4.1结型场效应管?结构?工作原理?输出特性?转移特性?主要参数4.1.1JFET的结构和工作原理4.1.2JFET的特性曲线及参数第2页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.结构（以N沟道JFET为例）第3页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理①VGS对沟道的控制作用当VGS＜0时（以N沟道JFET为例）当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP（或VGS(off)）。对于N沟道的JFET，VP0。PN结反偏耗尽层加厚沟道变窄。??VGS继续减小，沟道继续变窄②VDS对沟道的控制作用当VGS=0时，VDS??ID?G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当VDS增加到使VGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时VDS?夹断区延长?沟道电阻??ID基本不变?③VGS和VDS同时作用时当VPVGS0时，导电沟道更容易夹断，对于同样的VDS，ID的值比VGS=0时的值要小。在预夹断处VGD=VGS-VDS=VP第4页，共28页，星期日，2025年，2月5日综上分析可知沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，

所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。#为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因

此iG?0，输入电阻很高。第5页，共28页，星期日，2025年，2月5日#JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？4.1.2JFET的特性曲线及参数2.转移特性VP1.输出特性第6页，共28页，星期日，2025年，2月5日uGD=UGS(off)时称为预夹断夹断电压第7页，共28页，星期日，2025年，2月5日uGD=UGS(off)时称为预夹断夹断电压第8页，共28页，星期日，2025年，2月5日①夹断电压VP(或VGS(off))：②饱和漏极电流IDSS：③低频跨导gm：或3.主要参数漏极电流约为零时的VGS值。VGS=0时对应的漏极电流。低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。④输出电阻rd：第9页，共28页，星期日，2025年，2月5日4.2绝缘栅型场效应管MOSFET反型层uDS不变，uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚。当反型层将两个N区相接时，管子导通。1.N沟道增强型管SiO2绝缘层第10页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.耗尽型管（考试不要求）加正离子uGS=0时就存在导电沟道。第11页，共28页，星期日，2025年，2月5日绝缘栅型场效应管特性曲线1)增强型MOS管2)耗尽型MOS管开启电压第12页，共28页，星期日，2025年，2月5日各种场效应管所加偏压极性小结第13页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.直流偏置电路4.3FET的直流偏置电路及静态分析（1）自给偏压电路vGSvGS=-iDR第14页，共28页，星期日，2025年，2月5日（2）混合偏压电路第15页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.静态工作点Q点：VGS、ID、VDSvGS=VDS=已知VP，由VDD-ID(Rd+R)-iDR可解出Q点的VGS、ID、VDS第16页，共28页，星期日，2025年，2月5日①夹断电压VP(或VGS(off))：②饱和漏极电流IDSS：③低频跨导gm：或3.主要参数漏极电流约为零时的VGS值。VGS=0时对应的漏极电流。低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。④输出电阻rd：第17页，共28页，星期日，2025年，2月5日3.主要参数⑤直流输入电阻RGS