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铌酸银基陶瓷的带隙调控与构性研究.pdf

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    摘要

    铌酸银具有类反铁电的双电滞回线、高的极化强度和储能密度，在电介质储

    能等领域展现出较好的应用前景，成为储能电容器领域的研究热点。但仍面临一

    些难点，如制备工艺复杂（氧氛围下烧结）、成本高（银含量较高）、击穿场强依

    旧相对较低、储能效率偏低等。本文通过调控导带顶和价带底的能级位置，更加

    有效地调宽带隙，以增加铌酸银基陶瓷的击穿场强；通过增加空位形成能，提高

    离子迁移能垒，有效地降低陶瓷中的氧空位和金属阳离子空位含量，提高铌酸银

    基陶瓷的绝缘性能，实现空气氛围下高质量铌酸银基陶瓷的制备。本文研

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