半导体物理学第二章.pptVIP

深能级杂质的特征1、浅能级施主能级靠近导带，浅能级受主能级靠近价带；深能级施主则主要位于禁带中线下，深能级受主主要位于禁带中线上。第26页，共44页，星期日，2025年，2月5日例1：Au（Ⅰ族）在Ge中Au在Ge中共有五种可能的状态：（1）Au+；（2）Au0（3）Au一（4）Au二（5）Au三。2、多重能级特性：一些深能级杂质产生多次电离，导致多重能级特性。第27页，共44页，星期日，2025年，2月5日（1）Au+：Au0–eAu+△EEgECEVED失去唯一的价电子，产生施主能级ED。第28页，共44页，星期日，2025年，2月5日（2）Au一：Au0+eAu一△EA1ECEAEVAu接受一个电子后变成Au-，产生受主能级EA1第29页，共44页，星期日，2025年，2月5日（3）Au二：Au一+eAu二

ECEA2EA1EV△E=△EAu接受两个电子后变成Au=，产生受主能级EA2第30页，共44页，星期日，2025年，2月5日（4）Au三：Au二+eAu三Au接受三个电子后变成Au三，产生受主能级EA3第31页，共44页，星期日，2025年，2月5日半导体物理学第二章第1页，共44页，星期日，2025年，2月5日第2页，共44页，星期日，2025年，2月5日2.1.1、杂质的类型

杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。杂质在半导体中的分布状况（1）替位式杂质：杂质原子与被替代的晶格原子的大小比较相近，而且其价电子层结构也比较相近（2）间隙式杂质：通常这种杂质的原子半径是比较小的（3）杂质浓度：单位体积中的杂质原子数

第3页，共44页，星期日，2025年，2月5日举例：Si中掺磷P（Si：P）

2.1.2施主杂质、施主能级施主杂质—对半导体材料提供导电电子的杂质,称为施主杂质或者N型杂质杂质电离—价电子脱离杂质原子成为自由电子的过程称为杂质电离。第4页，共44页，星期日，2025年，2月5日2.1.2施主杂质、施主能级在Si单晶中，V族施主替位杂质两种荷电状态的价键图（a）电离态（b）中性施主态第5页，共44页，星期日，2025年，2月5日杂质电离能：是使被俘获的电子摆脱束缚，从而可以成为导电电子所需的能量△ED=EC-ED△ED=EC-EDECEDEV施主能级：将被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级电子浓度n0空穴浓度p0第6页，共44页，星期日，2025年，2月5日2.1.3受主杂质、受主能级举例：Si中掺硼B（Si：B）

受主杂质—B在晶体中而产生导电空穴，被称为受主杂质或者P型杂质杂质电离—受主杂质接受一个电子，在晶体中产生一个空穴的过程，称为杂质电离。第7页，共44页，星期日，2025年，2月5日在Si单晶中，Ⅲ族受主替位杂质两种荷电状态的价键图（a）电离态（b）中性受主态第8页，共44页，星期日，2025年，2月5日△EA=EA-EVECEAEV空穴浓度p0电子浓度n0受主能级：把被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级。受主电离能：是使被俘获的空摆脱束缚，从而可以参与传导电流所需的能量△EA=EA-EV第9页，共44页，星期日，2025年，2月5日杂质半导体1、n型半导体：特征：a、施主杂质电离，导带中出现施主提供的电子b、电子浓度n空穴浓度p2、p型半导体：特征：a、受主杂质电离，价带中出现受主提供的空穴b、空穴浓度p电子浓度n第10页，共44页，星期日，2025年，2月5日杂质能级位于禁带之中Ec杂质能级Ev第11页，共44页，星期日，2025年，2月5日上述杂质的特点：施主电离能△ED《Eg受主电离能△EA《Eg浅能级杂质·杂质的双重作用：1、改变半导体的电阻率2、