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二氧化钒薄膜半导体-金属相变中的电学与光学性质的深度剖析与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，具有特殊相变特性的材料一直是研究的热点。二氧化钒（VO?）薄膜作为一种典型的热致相变材料，因其独特的半导体-金属相变特性，在智能窗、光电开关、红外探测器等众多领域展现出了巨大的应用潜力。

VO?薄膜在特定温度（约68℃，不同制备方法和条件下会有所差异）下会发生从半导体态到金属态的可逆相变。在半导体态时，它对红外光具有较高的透射率，而在金属态下，红外光透射率急剧下降，同时电学性质如电阻率也会发生显著变化，可出现几个数量级的改变。这种在相变过程中电学和光学性质的突变，是其