化学气相沉积.pptVIP

4.微电子技术在半导体器件和集成电路的基本制造流程中，有关半导体膜的外延，P-N结扩散元的形成、介质隔离、扩散掩膜和金属膜的沉积等是工艺核心步骤，化学气相沉积在制备这些材料层的过程中逐渐取代了如硅的高温氧化和高温扩散等旧工艺，在现代微电子技术中占主导地位，在超大规模集成电路中，化学气相沉积可以用来沉积多晶硅膜，钨膜、铅膜、金属硅化物，氧化硅膜以及氮化硅膜等，这些薄膜材料可以用作栅电极，多层布线的层间绝缘膜，金属布线，电阻以及散热材料等。第61页，共110页，星期日，2025年，2月5日5.超导技术CVD制备超导材料是美国无线电公司（RCA）在20世纪60年代发明的，用化学气相沉积生产的Nb3Sn低温超导材料涂层致密，厚度较易控制，力学性能好，是目前烧制高场强、小型磁体的最优材料，为提高Nb3Sn的超导性能，很多国家在掺杂、基带材料、脱氢、热处理以及镀铜稳定等方面做了大量的研究工作，使CVD法成为生产Nb3Sn的主要方法之一。现已用化学气相沉积法生产出来的其他金属间化合物超导材料还有NbGe、V3Ca2、Nb3Ga。第62页，共110页，星期日，2025年，2月5日6．在其他领域的应用在光学领域中，金刚石薄膜被称为未来的光学材料，它具有波段透明和极其优异的抗热冲击、抗辐射能力，可用作大功率激光器的窗口材料，导弹和航空、航天装置的球罩材料等。金刚石薄膜还是优良的紫外敏感材料。而且上海交通大学把CVD金刚石薄膜制备技术应用于拉拔模具，不仅攻克了涂层均匀涂覆、附着力等关键技术，而且解决了金刚石涂层抛光这一国际性难题。此外，化学气相沉积还可以用来制备高纯难熔金属、晶须以及无定型或玻璃态材料如硼硅玻璃、磷硅玻璃等。第63页，共110页，星期日，2025年，2月5日4.3化学气相沉积合成工艺4.3.1化学气相沉积法合成生产工艺种类CVD设备的心脏，在于其用以进行反应沉积的“反应器”。而CVD反应器的种类，依其不同的应用与设计难以尽数。按CVD的操作压力可分为，CVD基本上可以分为常压与低压两种。若以反应器的结构来分类，则可以分为水平式、直立式、直桶式、管状式烘盘式及连续式等。第64页，共110页，星期日，2025年，2月5日若以反应器器壁的温度控制来评断，也可以分为热壁式（hotwall）与冷壁式（coldwall）两种。若考虑CVD的能量来源及所使用的反应气体种类，我们也可以将CVD反应器进一步划分为等离子增强CVD(plasmaenhancedCVD，或PECVD)，TEOS-CVD，及有机金属CVD(metal-organicCVD，MOCVD)等。第65页，共110页，星期日，2025年，2月5日CVD装置通常可以由气源控制部件、沉积反应室、沉积温控部件、真空排气和压强控制部件等部分组成。一般而言，任何CVD系统，均包含一个反应器、一组气体传输系统、排气系统及工艺控制系统等。CVD的沉积反应室内部结构及工作原理变化最大，常常根据不同的反应类型和不同的沉积物要求来专门设计。第66页，共110页，星期日，2025年，2月5日大体上可以把不同的沉积反应装置粗分为常压化学气相沉积（atmosphericpressurechemicalvapordeposition，APCVD）、低压化学气相沉积（lowpressurechemicalvapordeposition，LPCVD）、等离子体增强化学气相沉积（plasmaenhancedchemicalvapordeposition，PECVD）、有机金属化学气相沉积（metalorganicchemicalvapordeposition，MOCVD）和激光化学气相沉积（laserchemicalvapordeposition，LCVD）等加以简介。第67页，共110页，星期日，2025年，2月5日1.APCVD所谓的APCVD，顾名思义，就是在压力接近常压下进行CVD反应的一种沉积方式。APCVD的操作压力接近1atm(101325Pa)，按照气体分子的平均自由径来推断，此时的气体分子间碰撞频率很高，是属于均匀成核的“气相反应”很容易发生，而产生微粒。因此在工业界APCVD的使用，大都集中在对微粒的忍受能力较大的工艺上，例如钝化保护处理。第68页，共110页，星期日，2025年，2月5日2.LPCVD低压化学气相沉积技术早在1962年Sandor等人就做了报道。低压CVD的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作能力，降低到大约100Torr(1Torr=133.332Pa)一下的一种CVD反应。由于低压下分子平均自由程增加，气态反应剂与副产品的质量传输速度加快，从而使