半导体器件 MOSFETs 快速偏置温度不稳定性试验标准立项报告.docx

半导体器件MOSFETs快速偏置温度不稳定性试验标准立项报告

EnglishTitle:StandardizationReportonFastBiasTemperatureInstabilityTestforMOSFETs-Part1:Purpose,ScopeandTechnicalContent

摘要

本报告详细阐述了《半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验》国家标准的立项背景、目的意义、适用范围及主要技术内容。随着国内微电子工艺的快速发展，半导体器件特征尺寸不断缩小，栅氧厚度持续减薄，偏置温度不稳定性（BTI）已成为影响器件可靠性的关键因素。传统直流测试方法因测量速度较慢，无法准确评估BTI退化效应。本标准通过引入快速测试方法，显著减少测量过程中的恢复效应，为MOSFET晶体管的BTI效应提供准确的定量考核依据。本标准的制定将填补国内在快速BTI测试领域的空白，对提升半导体器件可靠性、保障整机系统稳定运行具有重要推动作用，预计将广泛应用于半导体制造、测试及相关应用领域。

Keywords:偏置温度不稳定性,MOSFETs,快速测试,可靠性评估,半导体器件,BiasTemperatureInstability,FastTest,ReliabilityEvaluation,SemiconductorDevices

正文

目的意义

偏置温度不稳定性（BiasTemperatureInstability:BTI）是CMOS技术中的基本退化机制之一，其表现为当在PMOS（NMOS）器件上施加正（负）栅极电压开启沟道时，器件的阈值电压（绝对值）和栅极漏电流显著增大，同时饱和电流和跨导相应减小。这种退化现象与温度密切相关，温度越高，BTI退化效应越显著。

近年来，国内微电子工艺技术取得突破性进展，特征尺寸从0.5微米逐步发展到0.25微米、65纳米，直至当前主流的14纳米工艺。在这一技术演进过程中，半导体器件的栅氧厚度持续减薄，然而受限于功耗约束，器件工作电压并未成比例降低，导致栅氧层间的电场强度急剧增加，BTI退化效应日益严重，直接威胁半导体器件的长期可靠性。

BTI效应具有独特的恢复特性，即在撤除或降低栅极应力后的几微秒至几毫秒时间内，部分退化会自发恢复。随着半导体工艺节点的不断进步，这种恢复效应变得尤为显著。现行国家标T-339《半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的温度偏置稳态试验》虽然建立了MOSFETs的温度偏置稳态试验程序，提供了BTI失效的测试方法，但其采用的直流测试方法测量速度较慢，在测量过程中已产生显著的BTI恢复，导致对实际BTI退化的低估。

本标准作为对国T-339的重要补充，引入替代性测试方法测量BTI退化。通过大幅缩短测量时间，尽可能减少测量过程中的恢复量，从而准确测量完整的BTI退化效应。本标准的制定将为MOSFET晶体管的快速BTI效应提供科学的定量考核依据，对提升半导体器件可靠性、保障整机系统的高可靠运行具有重要的技术支撑和推动作用。

范围和主要技术内容

本标准适用于圆片级的NMOS和PMOS晶体管的温度偏置稳态试验，旨在确定特定CMOS工艺中单个晶体管是否满足所需的温度偏置稳态效应的寿命时间要求。标准涵盖从试验设备要求到寿命评估的全流程技术规范。

主要技术内容包括以下几个方面：

试验设备要求：明确晶圆探针台、测量设备等关键试验设备的技术规格和性能要求。探针台需具备精确的温度控制能力，测量设备应满足快速测试的时间分辨率要求，确保测试数据的准确性和可重复性。

试验样品制备：详细规定沟道长度、沟道宽度、器件结构、晶圆加工工艺、天线保护等样品制备要求。样品应具有代表性，能够真实反映实际生产工艺条件下的器件特性。

样品数量要求：根据统计学原理确定最小样品数量，确保测试结果具有足够的统计显著性。同时考虑工艺波动和器件变异性的影响，制定合理的抽样方案。

试验步骤：规范应力时间和应力条件的选择原则，明确温度、电场强度等关键测试参数的设置方法。特别强调最后测量时间的控制，确保在恢复效应发生前完成关键参数的测量。

寿命评估方法：建立科学的寿命评估模型和数据处理方法，包括退化数据的提取、分析和外推。通过加速寿命测试数据推算出正常工作条件下的器件寿命，为工艺优化和可靠性设计提供依据。

介绍修订的企事业单位或标委会

全国半导体器件标准化技术委员会作为本标准的主要起草单位，是我国半导体器件领域标准化工作的核心组织。该委员会由国内顶尖的半导体制造企业、科研院所和检测机构的专家组成，具有深厚的技术积累和