半导体器件的特性.pptVIP

1.4.1晶体管的结构及符号结构：三个区：发射区、基区和集电区三个极：发射极、基极和集电极 两个结：发射结、集电结1.4双极型晶体管晶体管结构示意图晶体管符号第29页，共52页，星期日，2025年，2月5日生成类型：合金型和平面型要实现电流放大作用，要求： 发射区掺杂浓度高； 基区薄且掺杂浓度低； 集电结面积大。1.4双极型晶体管第30页，共52页，星期日，2025年，2月5日1.4.2晶体管内载流子的传输过程晶体管正常工作的外部条件：发射结外加正向电压VBE，集电结加上较大的反向偏压VCB。1.4双极型晶体管管内载流子的传输过程传输过程可分三步：1）发射区向基区注入载流子，形成发射结电流IE；2）电子在基区扩散和与基区空穴复合，形成基极电流IB；3）集电结收集电子，形成集电极电流IC第31页，共52页，星期日，2025年，2月5日1.4.3晶体管直流电流传输方程一、共基极直流电流传输方程共基极电流放大系数：1.4双极型晶体管共基极直流电流传输方程：三个极之间电流关系：第32页，共52页，星期日，2025年，2月5日1.4双极型晶体管二、共发射极直流电流传输方程定义共发射极直流放大系数：共发射极直流电流传输方程：穿透电流：第33页，共52页，星期日，2025年，2月5日三、共集电极直流电流传输方程1.4双极型晶体管共集电极直流电流传输方程：第34页，共52页，星期日，2025年，2月5日1.4.4晶体管的共射组态特性曲线一、输入特性曲线分析：时：集电结正偏，相当于两个二极管并联的正向特性。时：曲线右移，集电结由正偏向反偏过渡，开始收集电子。后，曲线基本不变，电流分配关系确定。1.4双极型晶体管特性曲线测量电流输入特性曲线第35页，共52页，星期日，2025年，2月5日二、输出特性曲线1.4双极型晶体管输出特性曲线三个区：放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。饱和区：vCE减小到一定程度，集电结吸引电子能力削弱。iB失去对iC控制作用，失去放大作用，饱和。饱和压降VCE(sat)很小。饱和时集电结、发射结都正偏。截止区：发射极和集电结均反偏。反向饱和电流存在。第36页，共52页，星期日，2025年，2月5日1）共发射极电流放大系数1.4.5晶体管的主要参数一、电流放大系数1.4双极型晶体管直流电流放大系数：1）共发射极电流放大系数直流电流放大系数：2）共基极电流放大系数直流电流放大系数：交流电流放大系数：交流电流放大系数：第37页，共52页，星期日，2025年，2月5日第1页，共52页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体的导电特性1.2PN结1.3二极管1.4双极型晶体管（BJT）1.5场效应管（FET）主要内容及要求基础，必须掌握：基本概念，原理，特征曲线、参数，应用等。了解原理，掌握特征曲线、参数。第2页，共52页，星期日，2025年，2月5日半导体材料：物质根据其导电能力(电阻率)的不同，可划分导体、绝缘体和半导体。导体：ρ10－4Ω/cm绝缘体：ρ109Ω/cm半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间。典型的元素半导体有硅Si和锗Ge，此外，还有化合物半导体砷化镓GaAs等。1.1半导体的导电特性第3页，共52页，星期日，2025年，2月5日半导体的原子结构和简化模型元素半导体硅和锗共同的特点：原子最外层的电子（价电子）数均为4。1.1半导体的导电特性图1.1.1硅和锗的原子结构和简化模型第4页，共52页，星期日，2025年，2月5日1.1.1本征半导体的导电特性本征半导体：纯净的且具有完整晶体结构的半导体。载流子：物资内部运载电荷的粒子。本征激发：在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。空穴：共价键中的空位。复合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。动态平衡：当温度T一定时，单位时间内产生的自由电子空穴对数目与单位时间内因复合而消失掉的自由电子空穴对数目相等，称为载流子的动态平衡。1.1半导体的导电特性第5页，共52页，星期日，2025年，2月5日金刚石结构第6页，共52页，星期日，2025年，2月5日1.1