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2025行业研究系列报告

全球半导体竞争新战场，国产生态

逐步成型

2025年4月

·深企投产业研究2025年行业研究报告·

第三代半导体概览

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一、半导体发展历程

半导体行业，基于核心材料特性的不同，划分为第一代半导体、

第二代半导体和第三代半导体，其中第二代半导体和第三代半导体又

“”

统称为化合物半导体。

SiGe

第一代半导体，指的是主要以硅（）和锗（）为材料制造的

2050

半导体。世纪年代，锗凭借在低电压、低频率、中功率晶体管

及光电探测器中的应用主导半导体市场，但因耐高温与抗辐射性能不

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足，于年代末被硅材料取代。硅半导体材料具有耐高温、抗辐射

SiO

的特征，且高纯度溅射二氧化硅（）薄膜的应用显著提升了其稳

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定性与可靠性，如今硅已成为最主流的半导体材料。

GaAsInP

第二代半导体，以化合物半导体材料砷化镓（）、磷化铟（）

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为主要代表制造的半导体元器件。第二代半导体材料发明于世纪

80年代，相较于第一代硅基材料，由于其禁带略宽、电子迁移率高

且具有直接带隙结构，使其在高频信号处理以及光电子领域具有更优

越的性能。随着信息技术和互联网的发展，第二代半导体材料在卫星

通信、移动通信、光通信和GPS导航等领域得到了广泛应用。但是，

砷化镓和磷化铟材料的稀缺性和高成本，以及它们的毒性和环境污染

问题，限制了这些材料的进一步应用。

SiCGaN

第三代半导体，是指使用碳化硅（）、氮化镓（）、金刚

CZnO

石（）、氧化锌（）等宽禁带材料制造的半导体，目前市场上主

SiCGaN

要集中在碳化硅（）、氮化镓（）两个领域。与第一代和第二

代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的

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击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能

力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，是功率半导体性

SiC

能升级的主要选择。其中，碳化硅（）器件具备耐高压、低损耗

和高频三大优势，可以满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求，

GaN

广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域；氮化镓（）器件具

备高开关频率、耐高温、低损耗等优势，可用于制作功率、射频、光

电器件，广泛应用于消费电子、新能源车、国防、通信等领域。

表1三代半导体材料物理性能和应用特点

第一代第二代第三代

物理属性