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半导体器件低剂量率辐照效应及精准表征方法的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体器件作为现代电子系统的核心组成部分，广泛应用于航空航天、核能、军事等诸多关键领域。这些应用场景往往伴随着复杂且恶劣的辐射环境，半导体器件不可避免地会受到各种辐射的影响，其性能和可靠性面临着严峻挑战。

在航空航天领域，航天器在浩瀚宇宙中穿梭，时刻暴露于宇宙射线、太阳粒子辐射以及地球辐射带等高强度辐射环境中。例如，在近地轨道运行的卫星，会受到来自太阳耀斑爆发产生的高能质子和电子的轰击，以及地球辐射带中高能粒子的持续辐射。在深空探测任务中，如火星探测、木星探测等，探测器需要穿越更为