第二章半导体材料.pptVIP

(2)半导体在受到外界光照的作用时导电能力大大提高。利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。(3)在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例为10-7（即千万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。

第29页，共65页，星期日，2025年，2月5日2.3掺杂半导体的电阻率第30页，共65页，星期日，2025年，2月5日2.4电子和空穴的传导N型硅导带电子多于价带空穴第31页，共65页，星期日，2025年，2月5日P型硅第32页，共65页，星期日，2025年，2月5日N型半导体中的电子传导第33页，共65页，星期日，2025年，2月5日P半导体中的空穴传导第34页，共65页，星期日，2025年，2月5日受主：在半导体材料中形成P型导电的掺杂剂施主：在半导体材料中形成N型导电的掺杂剂掺杂半导体的特性第35页，共65页，星期日，2025年，2月5日2.5电子和空穴的输运1、热运动电子或空穴在半导体中的热运动是随机的，又是被碰撞过程所中断。所以热运动最终并不产生净移位或长时间内的输运，电子随机热运动的速度是温度的函数，在室温下这一速度近似为8