第14章二极管和三极管1.pptVIP

15.5.2电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件BECNNPEBRBECRC发射结正偏、集电结反偏PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB从电位的角度看：NPN发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB第30页，共44页，星期日，2025年，2月5日2.各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.0010.701.502.303.103.950.0010.721.542.363.184.05结论:1）三电极电流关系IE=IB+IC2）IC??IB，IC?IE3）?IC???IB把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。第31页，共44页，星期日，2025年，2月5日3.三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。第32页，共44页，星期日，2025年，2月5日3.三极管内部载流子的运动规律IC=ICE+ICBO?ICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBO?IBEICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数集－射极穿透电流,温度??ICEO?(常用公式)若IB=0,则IC?ICE0第33页，共44页，星期日，2025年，2月5日15.5.3特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线：1）直观地分析管子的工作状态2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线第34页，共44页，星期日，2025年，2月5日发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路输出回路测量晶体管特性的实验线路ICEBmA?AVUCEUBERBIBECV++––––++第35页，共44页，星期日，2025年，2月5日1.输入特性IB(?A)UBE(V)204060800.40.8UCE?1V特点:非线性死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。正常工作时发射结电压：NPN型硅管UBE?0.6~0.7VPNP型锗管UBE??0.2~?0.3V第36页，共44页，星期日，2025年，2月5日2.输出特性IB=020?A40?A60?A80?A100?A36IC(mA)1234UCE(V)9120放大区输出特性曲线通常分三个工作区：(1)放大区在放大区有IC=?IB，也称为线性区，具有恒流特性。在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。第37页，共44页，星期日，2025年，2月5日IB=020?A40?A60?A80?A100?A36IC(mA)1234UCE(V)9120（2）截止区IB=0以下区域为截止区，有IC?0，UCE?EC。在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。饱和区截止区（3）饱和区当UCE?UBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，?IB?ICS，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。ICS?EC/RC，硅管UCES?0.3V，锗管UCES?0.1V。第38页，共44页，星期日，2025年，2月5日15.5.4主要参数1.电流放大系数，?直流电流放大系数