第五章频率响应特性.pptVIP

图5―21场效应管放大器及其高频小信号等效电路(a)放大电路；(b)等效电路第61页，共97页，星期日，2025年，2月5日由图5--21(b)可见，Cgd是跨接在放大器输入端和输出端之间的电容。应用密勒定理作单向化处理，可将Cgd分别等效到输入端(用CM表示)和输出端(用C′M表示)，如图5―22所示。其中:(5―40)(5―41)第62页，共97页，星期日，2025年，2月5日图5―22场效应管共源放大器单向化模型第63页，共97页，星期日，2025年，2月5日(5―42)(5―43)(5―44)(5―45)(5―46)第64页，共97页，星期日，2025年，2月5日上述分析结果显示：(1)要提高fH,必须选择Cgs,Cgd,Cds小的管子。(2)fH高和AuIs大是一对矛盾，所以在选择RD时要兼顾fH和AuIs的要求。(3)由于Ci(=Cgs+CM)的存在，希望有恒压源激励，即要求源电阻Rs小。共漏电路、共栅电路以及场效应管差分放大器的高频响应分析方法和晶体管电路的十分相似，在此不予重复。第65页，共97页，星期日，2025年，2月5日

5―7放大器的低频响应

5―7―1阻容耦合放大器的低频等效电路阻容耦合共射放大器电路如图5―23(a)所示。在低频区，随着频率的下降，电容C1、C2、CE呈现的阻抗增大，其分压作用不可忽视，故画出低频等效电路如图5―23(b)所示。第66页，共97页，星期日，2025年，2月5日图5―23(c)中，将gm直接接地，对输出电压和增益的计算不会有影响。图5―23阻容耦合共射放大器及其低频等效电路第67页，共97页，星期日，2025年，2月5日图5―23阻容耦合共射放大器及其低频等效电路第68页，共97页，星期日，2025年，2月5日为中频增益(5―25a)(5―25b)(5―26)(5―27)(5―28)其中为附加相移第29页，共97页，星期日，2025年，2月5日根据式(5―26)、(5―27)画出单级共射放大器的幅频特性和相频特性分别如图5―9(a),(b)所示。在半功率点处对应的附加相移为-45°，而当频率f≥10fH以后，附加相移趋向于最大值(-90°)。第30页，共97页，星期日，2025年，2月5日图5―9考虑管子极间电容影响后的共射放大器频率响应(a)幅频特性；(b)相频特性；(c)幅频特性波特图；(d)相频特性波特图第31页，共97页，星期日，2025年，2月5日四、频率特性的波特图近似表示法将式(5―24)用对数频率响应来表示，即第32页，共97页，星期日，2025年，2月5日五、负载电容和分布电容对高频响应的影响令式(5―24)中的Aus(jω)为A′us(jω),Uo为U’oωH为ωH1,如图5―10(b)所示。第33页，共97页，星期日，2025年，2月5日图5―10包含负载电容CL的电路及等效电路(a)电路；(b)等效电路第34页，共97页，星期日，2025年，2月5日(5―29)第35页，共97页，星期日，2025年，2月5日(5―31)(5―30)(5―32)(5―33)如果ωH2ωH1,则ωH≈ωH1第36页，共97页，星期日，2025年，2月5日图5―11同时考虑Ci和CL影响的波特图第37页，共97页，星期日，2025年，2月5日六、结果讨论通过以上分析，为我们设计宽带放大器提供了依据。1.选择晶体管的依据；2.信号源内阻Rs对高频特性的影响；3.关于集电极负载电阻RC的选择原则；4.注意负载电容CL对高频特性的影响；第38页，共97页，星期日，2025年，2月5日图5―12插入共集电路以减小Rs大、CL大对fH的不良影响第39页，共97页，星期日，2025年，2月5日5―3共集电路的高频响应共集电路如图5―13(a)所示。这里，我们有意将基区体电阻rbb′拉出来，并将Cb′c及Cb′e这两个对高频响应有影响的电容标于图中。与共射电路对比，我们有理由说，共集电路的高频响应比共射电路要好得多