微纳集成电路制造工艺 课件 第4章扩散工艺；第5章 离子注入工艺（1）.pptx

;第四章扩散工艺

Chapter4Diffusion;本章主要内容;学习要求与重点和难点;关于掺杂(Doping);半导体制造常用杂质;具有掺杂区的CMOS结构;定义：将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达到将杂质扩散到硅片内的目的。

方法：

按掺杂源的形态分类：

①固体源扩散：BN；开管扩散、箱法扩散、涂源法扩散；

②液态源扩散：POCl3

③气态源扩散：PH3，BH3

按扩散形式来分类：

①气相→固相扩散（三种源都可用）

②固相→固相扩散

③液相→固相扩散;扩散掺杂示意;4.1扩散机制Diffusionmechanism

;4.1.2替位式扩散

定义：杂质原子从一个