微纳集成电路制造工艺 课件 第3章 氧化工艺 .pptx

;;第三章氧化工艺;主要内容;学习目标与重点和难点;第三章氧化工艺（一）;3.1氧化工艺的基本特性-线上学习;（热）氧化在集成电路制造中的重要作用（用途）;1、结构

无定形结构：密度＝2.15-2.25g/cm3

结构特点：由无规则排列的Si-O4四面体组成的三维网络结构，即短程有序，长程无序。;桥键氧：为两个Si原子共用，是多数；

非桥键氧：只与一个Si原子联结，是少数；

;2、主要性质

①密度：表征致密度，约2.15-2.25g/cm3。(与制备方法有关)

②折射率：550nm下约为1.46。(与制备方法有关)

③电阻率：与制备方法及杂质数量有关，如干氧在1016Ω·cm。

④介电