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晶片加工工工艺创新考核试卷及答案

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晶片加工工工艺创新考核试卷及答案

考生姓名：答题日期：判卷人：得分：

题型

单项选择题

多选题

填空题

判断题

主观题

案例题

得分

本次考核的目的是检验学员在晶片加工工艺创新方面的知识掌握程度，评估学员对晶片加工工艺流程、技术原理和创新思维的实际应用能力。

一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.晶片加工中，用于去除晶片表面杂质的工艺是（）。

A.化学腐蚀

B.磨削

C.氧化

D.洗涤

2.晶片制造过程中，用于生长单晶硅的设备是（）。

A.晶圆炉

B.真空镀膜机

C.刻蚀机

D.离子注入机

3.晶片表面缺陷检测中，常用的光学检测方法是（）。

A.红外成像

B.电子显微镜

C.X射线衍射

D.光谱分析

4.晶片加工中，用于晶片表面光滑处理的工艺是（）。

A.化学抛光

B.机械抛光

C.激光抛光

D.电化学抛光

5.晶片制造过程中，用于晶圆切割的设备是（）。

A.切割机

B.刻蚀机

C.离子注入机

D.真空镀膜机

6.晶片加工中，用于晶圆清洗的溶剂是（）。

A.氨水

B.丙酮

C.硝酸

D.盐酸

7.晶片制造过程中，用于晶圆表面镀膜的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.物理气相沉积

C.溶胶-凝胶法

D.沉淀法

8.晶片加工中，用于晶圆表面图案化的工艺是（）。

A.光刻

B.刻蚀

C.离子注入

D.溶解

9.晶片制造中，用于晶圆表面抗反射处理的材料是（）。

A.氧化硅

B.氮化硅

C.硅氮化物

D.硅化物

10.晶片加工中，用于晶圆表面腐蚀的化学溶液是（）。

A.硝酸

B.氢氟酸

C.盐酸

D.硫酸

11.晶片制造过程中，用于晶圆表面离子注入的设备是（）。

A.离子注入机

B.刻蚀机

C.真空镀膜机

D.晶圆炉

12.晶片加工中，用于晶圆表面镀层厚度控制的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.物理气相沉积

C.溶胶-凝胶法

D.沉淀法

13.晶片制造中，用于晶圆表面图案化的关键步骤是（）。

A.光刻胶涂覆

B.曝光

C.显影

D.热处理

14.晶片加工中，用于晶圆表面清洗的设备是（）。

A.清洗机

B.真空泵

C.离子交换器

D.气动泵

15.晶片制造过程中，用于晶圆表面氧化处理的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.物理气相沉积

C.溶胶-凝胶法

D.热氧化

16.晶片加工中，用于晶圆表面图案化后去除未曝光光刻胶的工艺是（）。

A.显影

B.热处理

C.水洗

D.氨水处理

17.晶片制造过程中，用于晶圆表面刻蚀的化学溶液是（）。

A.硝酸

B.氢氟酸

C.盐酸

D.硫酸

18.晶片加工中，用于晶圆表面镀膜后去除多余薄膜的工艺是（）。

A.化学腐蚀

B.机械抛光

C.激光刻蚀

D.电化学腐蚀

19.晶片制造过程中，用于晶圆表面检测缺陷的设备是（）。

A.光学显微镜

B.电子显微镜

C.X射线衍射仪

D.红外光谱仪

20.晶片加工中，用于晶圆表面图案化前涂覆的光刻胶是（）。

A.光致抗蚀剂

B.电子束抗蚀剂

C.紫外线抗蚀剂

D.激光抗蚀剂

21.晶片制造中，用于晶圆表面镀层厚度测量的方法是（）。

A.色谱法

B.红外光谱法

C.射频法

D.光谱法

22.晶片加工中，用于晶圆表面图案化后检查的设备是（）。

A.显微镜

B.红外光谱仪

C.X射线衍射仪

D.光学投影仪

23.晶片制造过程中，用于晶圆表面镀膜后去除多余薄膜的工艺是（）。

A.化学腐蚀

B.机械抛光

C.激光刻蚀

D.电化学腐蚀

24.晶片加工中，用于晶圆表面清洗的溶剂是（）。

A.氨水

B.丙酮

C.硝酸

D.盐酸

25.晶片制造过程中，用于晶圆表面氧化处理的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.物理气相沉积

C.溶胶-凝胶法

D.热氧化

26.晶片加工中，用于晶圆表面图案化后去除未曝光光刻胶的工艺是（）。

A.显影

B.热处理

C.水洗

D.氨水处理

27.晶片制造过程中，用于晶圆表面刻蚀的化学溶液是（）。

A.硝酸

B.氢氟酸

C.盐酸

D.硫酸

28.晶片加工中，用于晶圆表面镀膜后去除多余薄膜的工艺是（）