基于掺杂SnO2的高性能钙钛矿太阳能电池的研究.pdfVIP

摘要

目前，有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池（PSCs）由于具有高的吸收系数、长的载

流子扩散长度、可调节带隙和易于制备等优异特性，在光伏领域显示出巨大的潜力并

受到广泛关注。PSCs的功率转换效率（PCE）在近十年内从3.8%显著提高到认证的

25.7%，可与商业化的硅太阳能电池相媲美。

最常见的电子传输层（ETL）材料是TiO，但由于其制备过程需要高温处理，制备

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成本较高，SnO2的物理性质与TiO2相似，而且具有更高的电子迁移率和低温加工的优

点，受到广泛关注。然而SnO2电子传输层在高温制备的过程中产生的氧空位缺陷会导

致其电子迁移率大大降低。为抑制界面载流子的复合，提升电池的光电转化效率和稳

定性，本论文选用SnO作为电子传输层，以FAMAPbI和CsFAMAPbI作为钙钛矿吸

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光层，通过掺杂策略改性SnO，并进一步对其工艺参数进行优化。本文首次将鸟氨酸

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（L-Ornithine，后续以LOR代称）和异氰酸酯（Isocyanicacid，后续以IA代称）引入

到平面PSCs的SnO2电子传输层中进行修饰，以促进钙钛矿晶体的生长，使晶粒尺寸

增大，从而获得更高质量的钙钛矿薄膜，研究发现掺杂剂可以使得SnO2具有与钙钛矿

更加匹配的能级，保证更有效的电子传输和最小限度的能量损失，从而提升PSCs器件

的光电转换效率和稳定性。论文主要内容如下：

（1）将LOR直接引入到SnO2前驱体溶液中，研究不同添加浓度（0、1、3、5、

7mg/mL）对SnO2薄膜电学性能的影响，使用离子液体制备二元钙钛矿薄膜，分析不

同的基底温度、退火温度和退火时间对钙钛矿的晶体结构、微观形貌以及器件光电性

能的影响。研究发现LOR上的-NH2可以有效地填补SnO2表面氧空位缺陷，钝化

SnO/FAMAPbI界面和钙钛矿薄膜的缺陷，使得SnO/FAMAPbI之间的接触更加紧密

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并且促进了钙钛矿晶体的生长，提高钙钛矿薄膜的质量，有效地抑制界面非辐射复合，显

著提高界面载流子提取速率。研究发现当加入掺杂剂的浓度为3mg/mL时，SnO-LOR-

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FAMAPbI-PSCs器件实现20.57%的最高效率。

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（2）以掺杂剂浓度为3mg/mL的SnO前驱体溶液制备SnO-LOR复合电子传输

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层，使用反溶剂工程在SnO-LOR电子传输层上沉积三元CsFAMAPbI钙钛矿薄膜，

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研究不同的反溶剂和退火温度对钙钛矿材料晶体结构和微观形貌的调控作用，以及对

PSCs器件光电性能的影响。研究发现取得最佳电池性能的反溶剂为乙酸乙酯，反溶剂

工程制备三元CsFAMAPbI3钙钛矿薄膜最佳退火温度为100℃，此时器件的光电转化

效率最高，将Cs引入FAMA中形成的钙钛矿晶格具有更好的稳定性。LOR独特的扩

散性可以通过形成配位键使-NH2和Pb2+键合，同时Pb2+和-NH2之间的强的结合力可以

抑制卤化物空位的产生。研究结果表明LOR与钙钛矿建立极强的氢键作用，从而减少

界面载流子的复合，实现具有更大晶粒尺寸和无针孔结构的钙钛矿薄膜。最终取得

21.49%的最高效率，以及良好的器件稳定性和热稳定性，PSCs器件在氮气氛围下放置

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