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三极管试题及答案
一、单选题
1.下列哪个是NPN型三极管的正确结构?()(1分)
A.发射区P型,基区N型,集电区P型B.发射区N型,基区P型,集电区N型
C.发射区P型,基区N型,集电区N型D.发射区N型,基区N型,集电区P型
【答案】B
【解析】NPN型三极管的结构是发射区为N型半导体,基区为P型半导体,集电区为N型半导体。
2.三极管工作在放大状态时,应满足的条件是()(1分)
A.发射结反偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏
C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结正偏,集电结反偏
【答案】D
【解析】三极管工作在放大状态时,发射结应正向偏置,集电结应反向偏置。
3.当三极管的基极电流IB增大时,其集电极电流IC将()(1分)
A.减小B.增大C.不变D.不确定
【答案】B
【解析】根据三极管的放大作用,基极电流IB增大时,集电极电流IC也会相应增大。
4.三极管的输出特性曲线中,哪个区域表示三极管处于饱和状态?()(1分)
A.截止区B.放大区C.饱和区D.反向截止区
【答案】C
【解析】在输出特性曲线中,饱和区表示三极管的集电极电流IC不再随基极电流IB的增大而显著增大,即处于饱和状态。
5.三极管的电流放大系数β通常在哪个范围内?()(1分)
A.0-10B.10-100C.100-1000D.1000以上
【答案】C
【解析】三极管的电流放大系数β通常在100-1000的范围内。
6.以下哪个参数描述了三极管的热稳定性?()(1分)
A.电流放大系数βB.特征频率fTC.集电极最大允许功耗PCMD.极间电容Cbe
【答案】C
【解析】集电极最大允许功耗PCM描述了三极管的热稳定性,即三极管在高温下工作的能力。
7.当三极管的集电极-发射极电压UCE增大时,其集电极电流IC将()(1分)
A.增大B.减小C.不变D.不确定
【答案】D
【解析】集电极-发射极电压UCE的增大会影响集电极电流IC,但具体影响取决于三极管的工作状态。
8.三极管的主要用途不包括()(1分)
A.放大电路B.开关电路C.稳压电路D.振荡电路
【答案】C
【解析】三极管的主要用途包括放大电路、开关电路和振荡电路,稳压电路通常使用稳压二极管。
9.以下哪个参数描述了三极管的开关速度?()(1分)
A.特征频率fTB.极间电容CbeC.集电极最大允许功耗PCMD.电流放大系数β
【答案】B
【解析】极间电容Cbe描述了三极管的开关速度,即三极管在开关状态下的响应时间。
10.当三极管的发射结反向偏置时,其工作状态为()(1分)
A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.反向截止状态
【答案】C
【解析】当三极管的发射结反向偏置时,其工作状态为截止状态。
二、多选题(每题4分,共20分)
1.以下哪些是三极管的主要参数?()
A.电流放大系数βB.特征频率fTC.集电极最大允许功耗PCMD.极间电容CbeE.发射结反向击穿电压BVCEO
【答案】A、B、C、D、E
【解析】三极管的主要参数包括电流放大系数β、特征频率fT、集电极最大允许功耗PCM、极间电容Cbe和发射结反向击穿电压BVCEO。
2.以下哪些情况下,三极管会工作在放大状态?()
A.发射结正向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结正向偏置
C.发射结正向偏置,集电结正向偏置D.发射结反向偏置,集电结反向偏置
【答案】A
【解析】三极管工作在放大状态时,发射结应正向偏置,集电结应反向偏置。
3.以下哪些是三极管的常见应用电路?()
A.放大电路B.开关电路C.稳压电路D.振荡电路E.滤波电路
【答案】A、B、D
【解析】三极管的常见应用电路包括放大电路、开关电路和振荡电路。
4.以下哪些参数会影响三极管的开关速度?()
A.极间电容CbeB.特征频率fTC.集电极最大允许功耗PCMD.电流放大系数β
【答案】A
【解析】极间电容Cbe是影响三极管开关速度的主要参数。
5.以下哪些情况下,三极管会工作在饱和状态?()
A.发射结正向偏置,集电结正向偏置B.发射结反向偏置,集电结反向偏置
C.发射结正向偏置,集电结反向偏置D.发射结反向偏置,集电结正向偏置
【答案】A
【解析】三极管工作在饱和状态时,发射结应正向偏置,集电结应正向偏置。
三、填空题
1.三极管的主要结构包括______、______和______三个部分。
【答案】发射区;基区;集电区(4分)
2.三极管的工作状态包括______、______和______三种状态。
【答案】截止;放大;饱和(4分)
3.三极管的电流放大系数β定义为______与______之比。
【答案】集电极电流IC;基极电流IB(4分)
4.三极管的特征频率fT表示三极管______的频率。
【答案】电流放大系数β下降到1时的频率(4分
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