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SentaurusTechnologyTemte:
SiGeHBTProcessing
ThisTCADSentaurussimulationprojectprovidesatemtesetupforsilicon-
germanium(SiGe)heterojunctionbipolartransistor(HBT)processsimulations.
TheprocesssimulationsareperformedbySentaurusProcess,incorporating
advancedmodelstotreatlatticemismatchweengermaniumandsilicon,andthe
effectofgermaniumondiffusionofdopantsandpointdefects.Inthedevice
simulations,theGummelplotsimulationisperformedtoextracttheum
currentgain.
VersionInformation
ThisTCADsimulationtemtehasbeendesignedandverifiedusingTCAD
SentaurusVersionH-2013.03.
Senurus技术模板：SIGEHBT处理
抽象的
该TCADSentaurus仿真项目为硅‑锗（SIGE）异晶双极晶体管（HBT）过程
模拟了模板设置。
该过程模拟是通过Sentaurus工艺进行的，结合了锗和硅之间的高级模型
Totreatlattice不匹配，以及锗对掺杂剂和点的扩散的影响。在设备仿真
中，执行Gummel图模拟以提取最大电流增益。
版本信息
使用TCADSentaurusversionH‑2013.03设计和验证了此TCAD仿真模板。
SynopsysandtheSynopsyslogoareregisteredsofSynopsys,Inc.
Allotherproductsorservicenamesmentionedhereinaresoftheirrespectiveholdersandshouldbetreatedassuch.
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