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组合逻辑电路演示文稿;优选组合逻辑电路;3）在数字电路中，分别用高、低电平来表示二值逻辑中

的1和0。;2.2.1双极型逻辑门电路;一、半导体二极管的开关特性;2.二极管的伏安特性;二极管（PN结）的单向导电性：

PN结外加正偏电压（P端接电源正极，N端接电源负极）时，形成较大的正向电流，PN结呈现较小的正向电阻；

外加反偏电压时，反向电流很小，PN结呈现很大的反向电阻。;3.二极管等效电路;导通电压VON

硅管取0.7V

锗管取0.2V;4.二极管的动态特性;因为半导体二极管具有单向导电性，即外加正向电压时导通，外加反向电压时截止，所以它相当于一个受外加电压极性控制的开关。;VCC=5V

当vI为高电平（取VCC）时，VD截止，vO为高电平。;1.二极管的与门;4）当uA=uB=3V，D1和D2都导通，所以:uO=3.7V;;2.二极管的或门;4）当uA=uB=3V，D1和D2都导通，所以:uO=2.3V;;1.双极型三极管的结构;2.双极型三极管的输入特性和输出特性;VIVON时，三极管截止，输出为高电平，即

VIVON时，三极管导通，此时有：

深度饱和状态，输出为低电平，此时有：;三极管输出特性上的三个工作区;3.双极型三极管的开关电路;当vI为低电平时，三极管工作在截止状态（截止区），输出高电平vO??VCC。;4.双极型三极管的开关等效电路;5.双极型三极管的动态开关特性;这种滞后现象是由于三极管的b-e间、c-e间都存在结电容效应的原因。;6三极管的非门;（2）工作原理;;7.二极管－晶体管门电路;（2）或非门电路;8.几种常用的TTL门电路;D;D;图TTL与非门74LS00和74LS20的引脚图;（2）或非门;图TTL或非门74LS02的引脚图;（3）三态输出门电路（TS门）;;图三态非门74LS125和74LS126的引脚图;(1)用三态门结成总线结构;图推拉式输出级并联的情况;其次，在采用推拉式输出级的门电路中，电源一经确定（通常规定为5V），输出的高电平也就固定了（不可能高于电源电压5V），因而无法满足对不同输出高电平的需要。;(1)电路结构：输出级是集电极开路的。;(3)工作原理：;(1)OC门的输出端并联，实现线与功能。

RL为外接负载电阻。;图2-21用OC门实现电平转换的电路;2.1.2CMOS逻辑门电路;1.MOS管的开关特性;MOS管的输出特性：;MOS管的基本开关电路：;(1)CMOS非门（反相器）;CMOS非门（反相器）工作原理：;CMOS非门（反相器）的电压传输特性：;（2）CMOS与非门和或非门;（3）CMOS传输门;2.1.3各类逻辑门的性能比较;2.各类逻辑门的主要参数

不论是双极型门电路还是单极型门电路，都包含以下几个主要参数。

⑴VCC：工作电源电压，单位为伏特。

⑵VIH(min)：高电平输入电压最小值，单位为伏特。

⑶VIL(max)：低电平输入电压最大值，单位为伏特。

⑷VOH(min)：高电平输出电压最小值，单位为伏特。

⑸VOL(max)：低电平输出电压最大值，单位为伏特。

⑹IIH(max)：高电平输入电流最大值，单位为微安。

⑺IIL(max)：低电平输入电流最大值，单位为毫安。

⑻IOH(max)：高电平输出电流最大值，单位为毫安。

⑼IOL(max)：低电平输出电流最大值，单位为毫安。

⑽tpd：每级门电路的传输延迟时间，单位为纳秒。

⑾PD：每个门电路的功耗，单位为毫瓦。

⑿VNH：输入高电平噪声容限，=VOH(min)-VIH(min)。

⒀VNL：输入低电平噪声容限，=VIL(max)-VOL(max)。

⒁NO：扇出系数。;3.各种系列门电路的性能比较;若优先考虑功耗，但对速度要求不高，可选用CMOS

电路；

若对速度要求很高，则可以选用ECL电路；

若无特殊要求，则选用TTL电路。;一般不允许多余输入端悬空（相当于高电平），否则会引入干扰信号。;2.2常用的组合逻辑模块;1.半加器（HalfAdder）;逻

辑

图;2.全加器（FullAdder）;卡诺图;逻辑图;(b)用与或非门和非门实现;3.集成全加器;在电路上如何实现两个四位二进制数相加？

A3A2A1A0+B3B2B1B0;4.2超前进位加法器;进位输入是由专门的“进位逻辑门”来提供;;例2用74LS283构成8421BC