现代电子材料与元器件2讲课文档.pptVIP

现代电子材料与元器件;（优选）现代电子材料与元器件;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.1pn结;5.2双极型晶体管;5.2.1基本原理;5.2.1基本原理;5.2.1基本原理;5.2.1基本原理;5.2.1基本原理;5.2.1基本原理;5.2.1基本原理;5.2.1基本原理;5.2.1基本原理;5.2.1基本原理;5.2.1基本原理;同质双极型晶体管在改进器件的高速性能时存在有本征限制。

获得高增益需要提高发射区掺杂浓度，减薄基区宽度。

提高fT需要减小发射区电容，减少基区电阻，减小集电区电阻。

减小厄尔利效应，又要增大基区宽度，或增大基区掺杂浓度。

典型的硅基BJT中，基区的掺杂和宽度都是折中考虑，器件的延迟主要是由基区渡越时间所确定的。;宽带隙发射极的设计可以放宽对基区掺杂浓度的限制，因为轻掺杂的发射极和重掺杂的基区可以保持足够的发射效率，同时采用具有低电阻的薄基区的结构。

这种设计可以显著改进器件的性能。

自从1970年开始，由于MBE和MOVPE技术的实用化，使得使用晶格匹配的III-V化合物半导体系统（诸如AlGaAs/GaAs、InP/InGaAs、InAlAs/InGaAs）制作HBT晶体管成为可能。硅基的HBT技术也已经开出来了，可采用SiGe，SiC和氧掺杂的Si来构造发射极/基区异质结。;1HBT基本结构

台面型

离子注入型

;1HBT基本结构

离子注入型的特点包括基区接触电阻小、层结构组合的灵活性、C-B电容低等。

台面型（自对准工艺）的特点是简单，快速，低温工艺，基区接触电阻非常高，电流增益比较低等。;2HBT器件的直流特性;2HBT器件的直流特性;2HBT器件的直流特性;2HBT器件的直流特性;2HBT器件的直流特性

讨论影响增益的因素：

注入效率γ，它是注入电子电流In和总的发射极电流之比

基区输运系数αT

;2HBT器件的直流特性

假设基区输运系数αT为1，即基区足够薄，复合可忽略

注入效率为

增益为;2HBT器件的直流特性;2HBT器件的直流特性;2HBT器件的直流特性

假设注入效率足够高，即γ=1

增益为;2HBT器件的直流特性

或者;2HBT器件的频率特性

在实际晶体管中并不要求增益无限制地增大，高增益甚至会导致器件特性不稳定。

异质结注入比大的优点并不完全用来增大增益，更重要的是用来提高晶体管的频率特性。

同质结晶体管提高注入比的办法是使发射极高掺杂而基区低掺杂，结果造成发射极电容和基区电阻都比较大。

而在异质结晶体管中在保证得到同样的注入比条件下，可使发射极掺杂降低而基区掺杂增高，从而减少了发射极的电容和基区电阻。;2HBT器件的频率特性

截止频率fT是一个非常重要的品质因子。它描述的是使共发射极电流增益变为1时的频率。;2HBT器件的频率特性;除了基于GaAs材料的HBT，还有其他几种新型的HBT，如基于InP的DHBT器件等。;如基于Si/SiGe的应变HBT。;请总结思考：HBT与SiBJT相比有哪些优势？;场效应晶体管是区别于双极型晶体管的另一大类晶体管。它通过改变垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力，从而调制通过沟道的电流。由于场效应晶体管的工作电流仅由多数载流子输运，故又称之为“单极型场效应晶体管”。

根据其结构(主要指栅极结构)和制作工艺，FET可分为三类：

结型栅场效应晶体管(缩写JFET)，由于原理上近似，有时也将肖特基栅场效应晶体管——金属-半导体场效应晶体管(缩写MESFET)划归此类；

绝缘栅场效应晶体管(缩写IGFET)，MOSFET属于此类；

薄膜场效应晶体管(缩写TFT)。

;结型栅场效应晶体管，其栅极的控制作用是通过反向偏置pn结或肖特基结来实现的。其导电过程发生在半导体材料的体内，故JFET属于“体内场效应器件”。绝缘栅场效应晶体管和薄膜场效应晶体管的导电过程均发生在半导体表面薄层内。故从导电机构的角度看，它们均属于“表面场效应器件”。

无论是“体内的”，还是“表面的”，它们都具有场效应半导体器件的共同特点：

体积小、重量轻、直流输入阻抗高、噪声低、热稳定性好等；

与双极型晶体管相比是一种电压控制器件——通过输入电压的改变控制输出电流，而双极型晶体管为电流控制器件。;以JFET为例，其基本结构如图;JFET的工作原理;JFET的工作原理;JFET的工作原理;JFET的工作原理

IDS相对独立于VDS，而受栅极电压VGS的控制。类似于BJT晶体管中集电极电流受控于基