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半导体氧化物薄膜：多元制备方法与性能优化的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今的电子器件领域，半导体氧化物薄膜凭借其独特的物理化学性质，占据着举足轻重的地位。随着现代科技的飞速发展，对电子器件的性能要求日益提高，半导体氧化物薄膜因其具备良好的导电性、光学透明性、化学稳定性以及独特的电学和光学特性，成为了众多电子器件研发与制造的关键材料。

在平板显示领域，薄膜晶体管（TFT）是核心元件之一。氧化物TFT以其迁移率较高（几～几十cm2/(V?s)）、大面积均匀性较好、制备工艺温度较低等诸多优势被认为最有可能应用于下一代平板显示中。以非晶铟镓锌氧（a-IGZO）为代表的主