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太阳能电池激光掺杂选择性发射极工艺考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.太阳能电池中，激光掺杂选择性发射极工艺主要应用于哪种材料？

A.硅

B.锗

C.铜化镓

D.碲化镉

2.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的激光器类型是？

A.固体激光器

B.半导体激光器

C.气体激光器

D.液体激光器

3.激光掺杂选择性发射极工艺的主要目的是？

A.提高电池的转换效率

B.增加电池的厚度

C.减少电池的反射损失

D.提高电池的寿命

4.在激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的掺杂剂是？

A.硼

B.磷

C.铟

D.铝

5.激光掺杂选择性发射极工艺的温度范围通常是？

A.500-800°C

B.800-1100°C

C.1100-1400°C

D.1400-1700°C

6.激光掺杂选择性发射极工艺中，激光的脉冲宽度通常是？

A.1-10ns

B.10-100ns

C.100-1000ns

D.1000-10000ns

7.激光掺杂选择性发射极工艺中，激光的能量密度通常是？

A.0.1-1J/cm2

B.1-10J/cm2

C.10-100J/cm2

D.100-1000J/cm2

8.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的激光波长是？

A.248nm

B.308nm

C.351nm

D.457nm

9.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的掩膜材料是？

A.金属

B.光刻胶

C.陶瓷

D.玻璃

10.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的基板材料是？

A.硅片

B.碲化镉

C.铜化镓

D.硼化硅

11.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的冷却方式是？

A.水冷

B.风冷

C.自然冷却

D.液体冷却

12.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的清洗剂是？

A.乙醇

B.甲苯

C.盐酸

D.硝酸

13.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的光刻技术是？

A.掩膜光刻

B.掩膜曝光

C.掩膜蚀刻

D.掩膜清洗

14.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的掺杂剂量是？

A.1-10at%

B.10-100at%

C.100-1000at%

D.1000-10000at%

15.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极厚度是？

A.1-10nm

B.10-100nm

C.100-1000nm

D.1000-10000nm

16.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极电阻率是？

A.1-10Ω·cm

B.10-100Ω·cm

C.100-1000Ω·cm

D.1000-10000Ω·cm

17.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极寿命是？

A.1-10μs

B.10-100μs

C.100-1000μs

D.1000-10000μs

18.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极电流密度是？

A.1-10A/cm2

B.10-100A/cm2

C.100-1000A/cm2

D.1000-10000A/cm2

19.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极电压是？

A.1-10V

B.10-100V

C.100-1000V

D.1000-10000V

20.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极温度是？

A.500-800°C

B.800-1100°C

C.1100-1400°C

D.1400-1700°C

21.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极缺陷是？

A.位错

B.空位

C.间隙原子

D.氧化物

22.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极接触材料是？

A.银浆

B.金浆

C.铝浆

D.铜浆

23.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极扩散时间是？

A.1-10s

B.10-100s

C.100-1000s

D.1000-10000s

24.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极扩散温度是？

A.500-800°C

B.800-1100°C

C.1100-1400°C

D.1400-1700°C

25.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极扩散气氛是？

A.空气

B.氮气

C.氢气

D.氦气

26.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极扩散压力是？

A.1-10Pa

B.10-100Pa

C.100-1000Pa

D.1000-10000Pa

27.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极扩散速率是？

A.1-10μm/h

B.10-100μm/h

C.100-1000μm/h

D.1000-10000μm/h

28.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极扩散均匀性是？

A.1-10%

B.10-100%

C.100-1000%

D.1000-10000%

29.激光掺杂选择性发射极工艺中，常用的发射极扩散缺陷率是？

A.1-10ppm

B.10-100ppm

C.100-1000ppm

D.1000-10000ppm

30.激光掺杂