F5G+6G泛宽带核心芯片及器件生产制造基地项目环境影响报告表.pdfVIP

一、建设项目基本情况

建设项目名称F5G+6G泛宽带核心芯片及器件生产制造基地项目

项目代码

建设单位联系

人

建设地点成都市双流区黄甲街道青云寺社区屏芯智能智造总部基地3号楼2单元4层

地理坐标（东经103度58分55.689秒，北纬30度27分5.423秒）

国民经济C3976光电子器建设项目三十六、计算机、通信和其他电子设

3980397

行业类别件制造行业类别备制造业；、电子器件制造

☑新建（迁建）☑首次申报项目

□改建建设项目□不予批准后再次申报项目

建设性质

□扩建申报情形□超五年重新审核项目

□技术改造□重大变动重新报批项目

项目审批（核川投资备

成都市双流区发项目审批（核准/

/2309-510122-04-01-336220

准备案）部门【】

展和改革局备案）文号（选填）

（选填）FGQB-0513号

总投资（万元）2000环保投资（万元）52

环保投资占比

2.6%施工工期1个月

（%）

是否开工建设☑否用地（用海）991.45m2

2

□是：面积（m）

表1-1专项评价设置情况说明

专项是否设

评价设置原则本项目置专项

类别评价

1

排放废气含有毒有害污染物、二噁英、本项目排放的废气不涉及含有

1

大气苯并[a]芘、氰化物、氯气且厂界外500米毒有害污染物、二噁英、苯并[a]否

2

范围内有环境空气保护目标的建设项目芘、氰化物、氯气

新增工业废水直排建设项目（槽罐车外送本项目废水为间接排放，通过市

专项地表