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二维硫属半导体纳米复合结构：从设计到光电性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

自2004年石墨烯被首次成功剥离以来，二维材料凭借其独特的原子级厚度、特殊的电子结构和新奇的物理性质，在材料科学、凝聚态物理和电子学等领域掀起了研究热潮。二维材料的出现，极大地拓展了人们对低维材料物理性质的认知，为开发新型高性能器件提供了广阔的空间。随着研究的不断深入，以过渡金属硫族化合物（TMDs）、黑磷等为代表的二维半导体材料逐渐成为该领域的研究焦点。

在现代半导体和光电器件的发展进程中，传统材料面临着诸多挑战，如硅基材料在进一步缩小尺寸时遇到的短沟道效应、载流子迁移率限制以及光电器件性能提升的瓶