半导体基础知识 (2).ppt

2.2.3PN结的反向击穿当PN结反向电压增大到一定值时，反向电流随电压的增加而急剧增大。产生PN结电击穿的原因：在强电场作用下，大大增加了自由电子和空穴的数目，从而引起了反向电流的急剧增加，称为PN结的反向击穿（热击穿）。这种现象的产生可以分为雪崩击穿(AvalancheMultiplication)和齐纳击穿(ZenerBreakdown)。VBRvDiD0图2-15PN结的击穿第29页，共61页，星期日，2025年，2月5日a.雪崩击穿：当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就下就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加的多而且快，使反向电流急剧增大，于是PN结就发生雪崩击穿。应用：整流二极管。b.齐纳击穿：在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存在一个强电场，它能够破坏共价键将束缚电子分离出来造成电子—空穴对，形成较大的反向电流。应用：稳压管（齐纳二极管）。电击穿可逆，为人们所利用，而热击穿必须尽量避免。第30页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.3半导体二极管2.3.1半导体二极管的结构图2-16半导体二极管的结构及符号第31页，共61页，星期日，2025年，2月5日将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极管。按结构分，二极管有点接触型和面接触型两类。点接触型二极管（一般为锗管）如图2-16(a)所示。它的PN结结面积很小（结电容小），因此不能通过较大电流，但其高频性能好，故一般适用于高频和小功率的工作，也用作数字电路中的开关元件。面接触型二极管（一般为硅管）如图2-16(b)所示。它的PN结结面积较大（结电容大），故可通过较大电流（可达上千安培），但其工作频率较低，一般用作整流。图2-16(c)是二极管的表示符号。二极管材料：硅、锗、砷化镓（非常用）二极管用途：整流、检波、稳压、开关、变容。第32页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.3.2二极管的伏安特性实际二极管伏安特性，如图2-17所示，与PN结的伏安特性基本相同，有如下特点：1.正向特性正向电压较小时，存在死区电压又称门坎电压，导通电压）由图2-17可见，当外加正向电压很小时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子（除少量能量较大者外）扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。这个一定数值的正向电压就是死区电压，其大小与材料及环境温度有关。通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。图2-17硅二极管的伏安特性第33页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.反向特性第34页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.反向击穿电压VBR:指管子反向击穿时的电压值。通常手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半3.反向电流?R:指管子未被击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。其值会随温度剧增，使用时注意温度影响。4.极间电容:a.势垒电容CB是用来描述势垒取得空间电荷随电压变化而产生的电容效应的。b.扩散电容CD它反映了在外加电压作用下载流子在扩散过程中的积累的情况。第35页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.4二极管基本电路及其分析方法2.4.1二极管正向V-?特性的建模1.理想模型在正向偏置时，其管压降为0V;而在反向偏置时，认为电阻无穷大。iDVDiDvD图2-18理想模型第36页，共61页，星期日，2025年，2月5日二极管导通后,其管压降认为是恒定的,且不随电流而变化,典型值是硅管UD=0.7V，锗管UD=0.2V。不过，这只有当二极管的电流Id近似等于或大于1mA时才是正确的。图2-19恒压降模型2.恒压降模型第37页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.折线模型二极管的管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流的增加而增加。对硅管，Vth约为0.5V。由于二极管特写的分散性，Vth和rD的值不是固定不变的。DivDi