探究高温退火：直拉硅抛光片表面质量与氧沉淀的关联.docx

探究高温退火：直拉硅抛光片表面质量与氧沉淀的关联

一、引言

1.1研究背景

在当今信息技术飞速发展的时代，半导体技术作为现代科技的核心支撑，广泛应用于计算机、通信、消费电子、汽车电子等众多领域，对推动社会进步和经济发展起着举足轻重的作用。硅晶圆作为半导体制造的基础材料，凭借其优异的电学性能、良好的热稳定性以及成熟的制备工艺，在半导体工业中占据着不可替代的关键地位。据统计，全球超过90%的集成电路是基于硅基材料制造而成，这充分彰显了硅晶圆在半导体领域的核心地位。

直拉硅抛光片作为硅晶圆制备过程中的关键环节，其表面质量和氧沉淀状况对后续半导体工艺的顺利实施以及器件的性能和可靠性有着深远影响