面向GaN半桥的健康型驱动电路研究与设计.pdfVIP

摘要

随着信息技术的迅速发展，对于电源的需求在不断攀升，在持续提升系统效

率的同时在相同的尺寸内实现更高的功率成为一项重大挑战，而这一挑战推动了

氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）在电源设计中的广泛应用，相较于传

统硅基功率器件，GaN出色的开关性能和导通损耗性能可将损耗降低50%以上以

提升效率，同时可将开关频率推高以提升功率密度。然而，由于GaN独特的电气

特性，传统的栅极驱动技术无法满足GaN应用的需求，可能会出现严重的性能和

可靠性问题。因此，设计适用于GaN的高效高可靠性栅驱动电路对于充分发挥

GaN功率系统的性能优势具有重要意义。

基于对GaN半桥栅驱动高性能和高可靠性的双重需求，本文从以下三个方面

的关键问题入手解决。首先，由于GaN具有开关速度快和反向导通压降大的特点，

半桥功率级的开关节点将出现功率管开关过程中dV/dt较大和死区负压较严重两

个问题，这对连接高低侧信号传输的电平位移电路的共模瞬态抗扰度（Common-

ModeTransientImmunity，CMTI）和负压容忍度提出了挑战；同时，高侧浮动电

源影响着高侧电路和GaN功率管的导通损耗、开启速度和可靠性，需要高侧供电

模块能够提供稳定适当的供电电压；此外，随着GaN半桥系统使用时间推移，

GaN退化失效可能导致系统故障，需要对GaN进行状态监测提高功率级可靠性。

针对以上问题，本文设计了一款面向GaN半桥的健康型驱动芯片，其具有高可靠

性电平位移电路，实现了在高dV/dt和死区负压下信号的准确可靠传输；并采用

自举电容过压检测自举充电方案和欠压保护电路，实现了高可靠性高侧供电；同

时，采用GaN动态导通电阻检测方案和结温检测电路，对GaN器件的退化失效进

行预测，进一步提高系统可靠性。

本文基于0.8μm600VBCD工艺，对关键电路和整体系统进行了设计和仿真

验证。在工作频率为500kHz、半桥输入电压为600V的情况下，芯片可正常工作，

实现了大于100V/ns的CMTI能力，可提供约5.6V的稳定浮动电源，高低侧通道

传输延时均小于30ns，通过GaN状态监测，实现了对GaN退化失效的预测。

关键词：GaN半桥栅驱动，电平位移，自举电路，GaN状态监测

ABSTRACT

Thedemandforpowersuppliescontinuestorisewiththerapiddevelopmentof

informationtechnology.Achievinghigherpowerinthesamesizewhileimprovingsystem

efficiencyhasbecomeamajorchallenge.Thischallengehasdriventhewiderangeof

applicationsofGalliumNitrideHighElectronMobilityTransistors(GaNHEMTs)in

powersupplydesign.ComparedtotraditionalSilicon-basedpowerdevices,GaNs

excellentswitchingperformanceandconductionlossperformancecanreducelossesby

morethan50%toimproveefficiency,whilepushingtheswitchingfrequencyhigherto

increasepowerdensity.However,duetotheuniqueelectricalcharacteristicsofGaN,

traditionalgatedrivetechnologiescannotmeettheneedsofGaNapplications,andsevere

performanceandreliabilityissueswouldoccur.Ther