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宽禁带半导体器件：从研制到测量技术的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术领域，半导体器件无疑占据着核心地位，其性能的提升与成本的降低，对推动科技进步和产业升级意义深远。随着科技的迅猛发展和社会的持续进步，各领域对半导体器件的性能提出了更为严苛的要求，传统半导体器件在面对高频、大功率、耐高温、抗辐照等特殊环境时，逐渐暴露出诸多局限性，已难以满足未来电子器件的需求。在此背景下，宽禁带半导体器件应运而生，凭借其独特的优势，成为了半导体领域的研究热点，为电子技术的发展开辟了新的道路。

宽禁带半导体器件，通常是指由禁带宽度大于2电子伏特（eV）的半导体材料制成的器件。常见的宽禁