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宁夏2025自考[大功率半导体科学]半导体物理高频题(考点)

一、单选题（共10题，每题2分）

1.在半导体中，载流子的产生和复合主要与下列哪个因素有关？

A.晶格振动

B.杂质浓度

C.温度

D.电场强度

2.以下哪种材料属于直接带隙半导体？

A.GaAs

B.Si

C.Ge

D.GaP

3.当温度升高时，半导体的禁带宽度通常会？

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

4.在n型半导体中，多数载流子是？

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.自由电子和束缚电子

5.内禀半导体的载流子浓度n?与温度T的关系是？

A.n?∝T2

B.n?∝T3/2

C.n?∝e^(-Eg/2kT)

D.n?∝T

6.PN结在正向偏置时，耗尽层会发生什么变化？

A.加宽

B.收窄

C.不变

D.消失

7.半导体的能带结构中，导带底和价带顶的对称性对电子跃迁有何影响？

A.增加跃迁概率

B.减少跃迁概率

C.不影响跃迁概率

D.改变载流子迁移率

8.以下哪种效应会导致半导体的电阻率随温度升高而降低？

A.热噪声

B.耗尽层电容

C.载流子浓度增加

D.晶格散射增强

9.当光照照射到半导体上时，产生的载流子对器件性能有何影响？

A.提高导电性

B.降低导电性

C.不影响导电性

D.改变能带结构

10.半导体的霍尔效应主要用于测量？

A.载流子浓度

B.耗尽层宽度

C.电阻率

D.电场强度

二、多选题（共5题，每题3分）

1.半导体的能带理论中，以下哪些因素会影响能带结构？

A.晶格常数

B.杂质浓度

C.温度

D.外加电场

E.自由电子数

2.PN结的反向偏置特性包括哪些？

A.耗尽层加宽

B.反向电流很小

C.电势垒升高

D.零偏压时电流为零

E.电荷积累

3.半导体的载流子输运特性与哪些因素有关？

A.载流子浓度

B.电场强度

C.温度

D.晶格缺陷

E.杂质类型

4.半导体的掺杂对电学性质的影响包括哪些？

A.改变载流子浓度

B.调整能带结构

C.降低电阻率

D.增加禁带宽度

E.提高迁移率

5.半导体的光电效应有哪些类型？

A.外光电效应

B.内光电效应

C.光电导效应

D.光生伏特效应

E.光电发射效应

三、判断题（共10题，每题1分）

1.半导体的禁带宽度随温度升高而增大。

（√/×）

2.n型半导体的多数载流子是空穴。

（√/×）

3.PN结的正向偏置时，耗尽层消失。

（√/×）

4.半导体的电阻率仅与材料本身有关。

（√/×）

5.内禀半导体的载流子浓度与温度无关。

（√/×）

6.半导体的霍尔效应可以用来区分电子和空穴。

（√/×）

7.掺杂可以提高半导体的迁移率。

（√/×）

8.半导体的能带结构是由原子能级线性展开形成的。

（√/×）

9.半导体的光电效应可以用于制造太阳能电池。

（√/×）

10.半导体的耗尽层宽度仅与反向偏压有关。

（√/×）

四、简答题（共5题，每题5分）

1.简述半导体的能带结构及其形成原因。

（要求：结合原子能级和晶格相互作用解释）

2.解释PN结的形成原理及其单向导电性。

（要求：说明载流子扩散和复合过程）

3.简述半导体的掺杂对其电学性质的影响。

（要求：区分n型和p型掺杂）

4.解释半导体的光电效应及其应用。

（要求：说明光生载流子的产生机制）

5.简述半导体的霍尔效应及其测量原理。

（要求：说明磁场对载流子运动的影响）

五、计算题（共3题，每题10分）

1.已知某内禀半导体的禁带宽度Eg=1.12eV，电子有效质量me=0.1m?，求在300K时的载流子浓度n?。

（要求：使用玻尔兹曼分布和能带理论公式）

2.某PN结的耗尽层宽度在反向偏压10V时为2μm，求该半导体的介电常数ε和掺杂浓度NA（假设ND=NA）。

（要求：使用耗尽层公式和内禀载流子浓度公式）

3.某半导体的霍尔系数R_H=4×10??m3/C，求其载流子浓度和类型（假设室温下迁移率μn=μp）。

（要求：使用霍尔效应公式并判断多数载流子类型）

答案与解析

一、单选题答案与解析

1.B

解析：半导体的载流子产生和复合主要与杂质浓度有关，杂质可以提供额外的电子或空穴，从而影响载流子浓度。

2.A

解析：GaAs属于直接带隙半导体，其电子能级直接跃迁到空穴能级，适用于发光二极管和激光器。

3.B

解析：温度升高时，声子散射增强，能带结构发生变化，导致禁带宽度减小。

4.A

解析：n型半导体通过掺杂施主杂质获得多余电子，因此电子是多数载流子。

5.B

解析：内