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igbt的ce之间并联电阻电容的作用之间并联电阻电容的作用
在IGBT的集电极（C）和发射极（E
优化设计。这种设计主要针对IGBT
下从多个维度展开分析：
电压尖峰抑制
IGBT关断瞬间，线路寄生电感会导致CE两端产生电压尖峰。并联RC
容反复充放电引发震荡。例如某变频器应用中，CE间并联的RC将关断电压尖峰从1200V抑制至
950V以下。
动态均压作用
多个IGBT串联工作时，并联RC
电阻确保各支路阻抗平衡。某高压直流输电系统中，12个IGBT串联模块通过RC
差控制在±3%以内。
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