金属氧化物半导体场效应管 ch.pptVIP

第1页，共18页，星期日，2025年，2月5日4.3金属－氧化物－半导体场效应管?输出特性?转移特性?主要参数4.3.1N沟导增强型MOSFET(EMOS)4.3.3各种FET的特性及使用注意事项4.3.2N沟导耗尽型MOSFET(DMOS)第2页，共18页，星期日，2025年，2月5日B4.3.14.3.1EMOS的结构和工作原理源极漏极栅极衬底1.结构（以N沟道EMOS为例）第3页，共18页，星期日，2025年，2月5日P型区P型区符号符号4.3.1JFET的结构和工作原理4.1结型场效应管1.结构#符号中的箭头方向表示什么？ 在通常情况下，源极一般都与衬底极相连，即VBS＝0。正常工作时，作为源区和漏区的两个N+区与衬底之间的PN结必须外加反偏电压。为此，漏极对源极的电压VDS必须为正值。 增强型Md0S场效应管是这样工作的：在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。这样，在漏极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。第4页，共18页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理4.1结型场效应管①VGS对沟道的控制作用当VGS＜0时当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP（或VGS(off)）。对于N沟道的JFET，VP0。PN结反偏耗尽层加厚沟道变窄。??VGS继续减小，沟道继续变窄②VDS对沟道的控制作用当VGS=0时，VDS??ID?G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当VDS增加到使VGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时VDS?夹断区延长?沟道电阻??ID基本不变?③VGS和VDS同时作用时当VPVGS0时，导电沟道更容易夹断，对于同样的VDS，ID的值比VGS=0时的值要小。在预夹断处VGD=VGS-VDS=VP第5页，共18页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理4.1结型场效应管(a)VGS=VDS＝0⑴沟道形成原理(b)VGS0,VDS＝0当VGS为零或较小的正值时，源区和漏区之间均被空间电荷区隔断。第6页，共18页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理4.1结型场效应管(c)VGSVGS(th),VDS＝0⑴沟道形成原理(d)VGSVGS(th),VDS0形成自漏区到源区的漏极电流N型导电沟道第7页，共18页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理4.1结型场效应管(e)VGSVGS(th),VDS=VGS-VGS(th)VGD=VGS-VDS(d)VGSVGS(th),VDS0此时VDS?VGD↓?漏端沟道变窄?ID基本不变VDS??ID?近漏极端的反型层消失预夹断②VDS对沟道的控制作用第8页，共18页，星期日，2025年，2月5日综上分析可知4.1结型场效应管VGA=VGS(th)VSA=VGS-VGS(th)VDA=VDS–(VGS-VGS(th))第9页，共18页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理4.1结型场效应管③沟道长度调制效应第10页，共18页，星期日，2025年，2月5日4.1结型场效应管N沟道EMOS的特性曲线及参数2.转移特性1.输出特性第11页，共18页，星期日，2025年，2月5日4.1结型场效应管N沟道EMOS的特性曲线及参数1.输出特性⑴非饱和区，又称变阻区VGSVGS(th),VDSVGS-VGS(th)②饱和区第12页，共18页，星期日，2025年，2月5日①夹断电压VP(或VGS(off))：②饱和漏极电流IDSS：③低频跨导gm：或4.1结型场效应管3.主要参数漏极电流约为零时的VGS值。VGS=0时对应的漏极电流。低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。④输出电阻