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探索Ge(Si)基稀磁半导体:结构解析与性质洞察
一、引言
1.1研究背景
随着信息技术的飞速发展,对半导体材料性能的要求日益提高。传统半导体主要利用电子的电荷特性进行信息处理,而磁性材料则主要基于电子的自旋特性实现信息存储。稀磁半导体(DilutedMagneticSemiconductors,DMS)的出现,为同时操控电子的电荷和自旋自由度提供了可能,它将半导体的电荷输运特性与磁性材料的信息存储特性集于一身,有望开创全新的信息处理和存储模式,在未来的信息技术发展中展现出巨大的潜力。
稀磁半导体,是指在非磁性半导体中,部分原子被过渡金属元素或稀土金属元素取代后所形成的具有磁性的半导体材
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