场效应晶体管在太赫兹与超高频领域的特性、挑战及突破.docx

下载文档

0
0
约2.14万字
约 17页
2025-10-14 发布于上海
举报
版权申诉
保障服务

场效应晶体管在太赫兹与超高频领域的特性、挑战及突破.docx

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

场效应晶体管在太赫兹与超高频领域的特性、挑战及突破

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，通信、雷达等领域对器件的性能提出了越来越高的要求，场效应晶体管作为现代电子系统中的关键器件，其在太赫兹及超高频领域的特性研究具有极其重要的意义。

在通信领域，随着5G的广泛应用以及对未来6G的探索，人们对高速、大容量、低延迟的通信需求日益迫切。太赫兹频段（0.1-10THz）拥有丰富的频谱资源，能够满足未来超高速通信对带宽的需求，有望成为下一代通信技术的重要频段。场效应晶体管作为信号处理和放大的关键元件，其在太赫兹频段的性能直接影响着通信系统的传输速率、信号质量和稳定性。例