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导体半导体和绝缘体第1页，共25页，星期日，2025年，2月5日6.2.1满带电子不导电1.满带、导带、近满带和空带(1)满带：能带中所有电子状态都被电子占据。(2)导带：能带中只有部分电子状态被电子占据,其余为空态。(3)近满带：能带中大部分电子状态被电子占据,只有少数空态。(4)空带：能带中所有电子状态均未被电子占据。§6.2导体、半导体和绝缘体的能带论解释第2页，共25页，星期日，2025年，2月5日2.满带和导带中电子的导电情况(1)无外电场不论是否满带，电子填充和-的几率相等。据右图可看出又I=0导带满带EAEA第3页，共25页，星期日，2025年，2月5日(2)有外电场轴上各点均以完全相同的速度移动，因此并不改变均匀填充各态的情况。从A′移出去的电子同时又从A移进来，保持整个能带处于均匀填满的状况，并不产生电流。满带：导带：在外场作用下，电子分布将向一方移，破坏了原来的对称分布，而有一个小的偏移,这时电子电流将只是部分抵消，而产生一定的电流。EAEA第4页，共25页，星期日，2025年，2月5日时I=0导带满带6.2.2导体、半导体和绝缘体的能带有导带导带导体半导体禁带窄禁带半导体空带禁带绝缘体空带绝缘体禁带宽第5页，共25页，星期日，2025年，2月5日6.2.3近满带和空穴满带中少数电子受激发而跃迁到空带中去，使原来的满带变成近满带，近满带中这些空的状态，称为空穴。空穴在外场中的行为犹如它带有正电荷+e。(2)(3)(4)(1)设能带中有一个态没有电子，即能带中出现一个空穴，空穴的波矢用表示。可以证明：第6页，共25页，星期日，2025年，2月5日满带中(2)如果满带中有一个电子逸失，系统的总波矢为空穴的波矢。(1)第7页，共25页，星期日，2025年，2月5日(4)(3)第8页，共25页，星期日，2025年，2月5日6.2.4金属和绝缘体的转变典型例子：低温下固化的隋性气体在足够高的压强下可以发生金属化的转变。这种与能带是否交叠相对应的金属--绝缘体的转变称为Wilson转变。从非金属态变成金属态所需的压强称为金属化压强。1.Wilson转变：任何非导体材料在足够大的压强下可以实现价带和导带的重叠，从而呈现金属导电性。Xe在高压下5d能带和6s能带发生交叠，呈现金属化转变。第9页，共25页，星期日，2025年，2月5日例1：半导体材料的价带基本上填满了电子(近满带)，价带中电子能量表示式E(k)=-1.016?10-34k2(J)，其中能量顶点取在价带顶,这时若k=1?106/cm处电子被激发到更高的能带(导带)，而在该处产生一个空穴，试求出此空穴的有效质量，波矢，准动量，共有化运动速度和能量。解:(1)波矢：(2)准动量：(3)(4)(5)第10页，共25页，星期日，2025年，2月5日第八节金属的电阻率本节主要内容：6.8.1电阻的起因6.8.2纯金属的电阻率6.8.3杂质和缺陷对金属电阻率的影响第11页，共25页，星期日，2025年，2月5日§6.8金属的电阻率6.8.1电阻的起因1.理想晶体无电阻一个理想的晶体是无限大的，既没有杂质和缺陷也没有晶格振动。当能带只是部分填充时，在外电场作用下，这些电子的状态以匀速变化，使电子在布里渊区的分布不再对称，从而产生电流。第12页，共25页，星期日，2025年，2月5日当外电场除去后，由于，电子在布里渊区的非对称分布不再变化，从而维持原来的电流不变，也就是说，在外电场为零的情况下，电流仍不等于零。可知，电导率应为无穷大，电阻率应为零。由2.电阻来源于杂质、声子等对电子的散射电阻是由在能带理论所作的几步近似中被忽略的因素引起的。即绝热近似和周期场近似。第13页，共25页，星期日，2025年，2月5日第一步绝热近似中，认为离子实在格点上固定不动，忽略了晶格振动，这样在导电问题上忽略了声子与布洛赫电子的作用；第二步周期场近似中，认为晶格势能函数处处符合晶格的严格周期性，忽略了晶体中的杂质和缺陷，这样在导电问题上忽略了布洛赫电子与这些杂质和缺陷的作用。6.8.2纯金属的电阻率1.实验规律：高温低温第14页，共25页，