第08章场效应管及其放大电路.pptVIP

例8.3.1解:电路如图8.3.1b所示，已知Rg1=300k?，Rg2=200k?，Rd=5k?，R=0，VDD=5V，VT=1V，Kn=0.5mA/V2，试计算电路的静态工作点的值。图8.3.1（b）由于VDSQ＞(VGSQ?VT)=(2?1)V=1V，说明该场效应管确实工作在饱和区，上面的分析是正确的。如果初始假设被证明是错误的，则必须重新假设，并重新分析电路。设N沟道增强型MOS管工作在饱和区*第29页，共55页，星期日，2025年，2月5日8.3.2场效应管的微变等效电路8.3场效应管放大电路及模拟集成电路基础(a)N沟道增强型MOS管 (b)交流等效模型图8.3.2MOS管的低频小信号等效模型(a)共射极连接时的二端口网络(b)H参数等效模型图3.3.9三极管H参数及等效模型*第30页，共55页，星期日，2025年，2月5日1.场效应管的低频小信号等效模型8.3.2场效应管的微变等效电路(a)N沟道增强型MOS管 (b)交流等效模型图8.3.2MOS管的低频小信号等效模型为低频跨导rds为场效应管的输出电阻输入端口输出端口由于iG=0，可视为开路*第31页，共55页，星期日，2025年，2月5日2.场效应管的高频小信号等效模型8.3.2场效应管的微变等效电路图8.3.3场效应管的高频小信号模型(a)N沟道增强型MOS管 (b)交流等效模型图8.3.2MOS管的低频小信号等效模型图中: Cgd——栅漏电容 Cgs——栅源电容 Cgb——栅极-衬底间电容 Cds——漏源电容如果源极与衬底没有相连，则还需考虑Cbs和Cbd。*第32页，共55页，星期日，2025年，2月5日3.场效应管放大电路的微变等效电路分析8.3.2场效应管的微变等效电路(1)画放大电路的微变等效电路(2)确定H参数(3)计算电压增益(4)计算输入电阻Ri(5)计算输出电阻Ro用微变等效电路法分析共源极和共漏极电路的步骤与半导体三极管电路相同。对于共栅极电路，由于未能有效利用栅极与沟道间的高阻，所以很少应用。分析步骤:*第33页，共55页，星期日，2025年，2月5日(1)共源极放大电路的动态分析8.3.2场效应管的微变等效电路图8.3.4图8.3.1b共源极电路的微变等效电路图8.3.1(b)3.场效应管放大电路的微变等效电路分析②输入电阻③输出电阻①电压增益共源极电路的特点是：电路具有电压放大作用，并且输出电压与输入电压相位相反；输入电阻高。*第34页，共55页，星期日，2025年，2月5日 电路如图8.3.1b所示，已知VDD=5V，Rd=5k?，R=0， Rg1=300k?，Rg2=200k?，RL=5k?，场效应管的参数为VT=1V，Kn=0.5mA/V2，rds可以视为无穷大，试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。Ro=Rd=5k?电压增益输入电阻输出电阻例8.3.2解：为计算gm，首先要求静态值。该题与例8.3.1电路及参数相同，已求得VGSQ=2V，所以有图8.3.4图8.3.1b共源极电路的微变等效电路图8.3.1(b)*第35页，共55页，星期日，2025年，2月5日图8.3.5例8.3.3电路共源极电路如图8.3.5所示，已知VDD=5V，Rd=2.5k?，VGSQ=2V，场效应管的参数为VT=1V，Kn=0.8mA/V2，。当MOS管工作于饱和区，试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。①求静态值例8.3.3解：②求跨导和输出电阻③求电压增益、输入电阻和输出电阻电压增益为输入电阻Ro=rds//Rd?2.4k?输出电阻*第36页，共55页，星期日，2025年，2月5日(2)共漏极放大电路的动态分析8.3.2场效应管的微变等效电路3.场效应管放大电路的微变等效电路分析②输入电阻③输出电阻①电压增益共源极电路的特点是：又称为源极跟随器，与射极跟随器一样，其电压增益小于1，但接近于1，输出电压与输入电压同相位。输入电阻