Ⅲ-Ⅴ族量子结构材料生长及其自旋电子学特性与应用研究.docx

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2025-10-15 发布于上海
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Ⅲ-Ⅴ族量子结构材料生长及其自旋电子学特性与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广袤领域中，Ⅲ-Ⅴ族量子结构材料凭借其独特的物理性质，占据着举足轻重的地位。这类材料由元素周期表中第Ⅲ族元素（如镓（Ga）、铟（In）、铝（Al））与第Ⅴ族元素（如氮（N）、磷（P）、砷（As））化合而成，具备直接带隙特性，这使得其在光子与电子的能量转换过程中展现出极高的效率，为光电器件的发展奠定了坚实基础。在通信领域广泛应用的激光器、光电探测器，以及在照明领域大放异彩的发光二极管（LED），其核心组成部分便是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。随着科技的飞速发展，对器件性能和功能集成度的要