天津大学《半导体物理学》课件-第8章 半导体表面与MIS结构.pdfVIP

半导体物理

ThePhysicsofSemiconductors

主讲人：聂凯明

天津大学-微电子学院

nkaiming@tju.edu.cn

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第八章半导体表面与MIS结构

本章重点

◼表面电场效应

◼半导体表面层的五种基本状态

◼MIS结构的C-V特性

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8.1表面态

◼表面处晶体的周期性势场中断；

◼表面往往易受到损伤、氧化和沾污，从而影响器件的稳定性；

◼表面往往需要特殊的保护措施，例如增加钝化层（Passivation）等；

◼表面是MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect

Transistor）等半导体器件制备的基础。

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8.1表面态

◼理想表面（以硅晶体为例）

1.表面处的每一个硅原子都有一个未配对的电子——悬挂键（Dangling

Bonds），对应的电子能态就是表面态；

2.硅晶体的表面原子密度约为1015cm-2，悬挂键密度也是约1015cm-2。

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8.2表面电场效应

◼考虑理想情况下模型：

1.金属与半导体之间功函数差为零；

2.在绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电；

3.绝缘层与半导体界面处不存在任何界面态。

金属-绝缘层-半导体结构（MIS，Metal-Insulator-Semiconductor）

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8.2.1空间电荷层和表面势

◼半导体表面层产生电场原因：外加偏压、功函数、界面态；

◼当金属与半导体之间加电压后，Q=-Q；

ms

◼金属自由电子密度高，电荷分布在一个原子层厚度范围内；

◼半导体中自由载流子密度要低得多，对应Q需要分布在一定

s

厚度的表面层内，这个带电表面层叫做空间电荷层（Space

ChargeLayer）。

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8.2.1空间电荷层和表面势

◼表面势Vs：空间电荷层两端的电势差，表面电势比内部高为正；

◼电力线从正电荷出发终止于负电荷，电势沿电力线方向减小，对

于电子来说其电势能沿电力线方向升高；

◼空间电荷层内的电势使得半导体能带发生弯曲：

QmQsVs能带弯曲

+-+↓

-+-↑

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8.2.1空间电荷层和表面势

◼表面势及空间电荷层点电荷的分布情况随金属与

半导体之间所加电压V而变化，可出现多子堆