天津大学《半导体物理学》课件-第7章 金属和半导体的接触.pdfVIP

半导体物理

ThePhysicsofSemiconductors

主讲人：聂凯明

天津大学-微电子学院

nkaiming@tju.edu.cn

1

第七章金属和半导体的接触

本章重点

◼金属半导体接触及其能带图

◼金属半导体接触整流理论

◼欧姆接触

2

7.1金属半导体接触及其能级图

7.1.1金属和半导体的功函数

◼金属功函数（WorkFunction）

WE−(E)

m0Fm

◼金属功函数约为几个电子伏特，随原子序数的递增呈现

周期性变化。

3

7.1.1金属和半导体的功函数

◼半导体功函数

WE−(E)

s0Fs

◼半导体电子亲和能（ElectronAffinity）

E0−Ec

◼利用电子亲和能，半导体的功函数可以表示为：

W+[E−(E)]+E

scFsn

4

7.1.2接触电势差

◼金属与n型半导体接触为例，且WmWs

电势低

导线连接（间隙D很大）

电势高

半导体中电子

流向金属D

◼这种因功函数不同，接触时产生的电势差，叫做接触电势差

W−W

VV−Vsm

msms

q

5

7.1.2接触电势差

◼金属与n型半导体紧密接触（D很小）

◼半导体表面层内出现电离施主构成的空间电荷区

◼半导体表面和内部之间存在电势差V，即表面势

s

W−W

smV+V

mss

q