天津大学《半导体物理学》课件-第2章 半导体中杂质和缺陷能级.pdfVIP

半导体物理

ThePhysicsofSemiconductors

主讲人：聂凯明

天津大学-微电子学院

nkaiming@tju.edu.cn

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第二章半导体中杂质和缺陷能级

本章重点

◼半导体中的杂质能级

◼施主杂质、受主杂质

◼缺陷和位错

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2.1硅锗晶体中的杂质能级

实际晶体与理想晶体的区别

◼原子并不是静止在格点位置上，而是在其平衡位置附近振动；

◼存在杂质；

◼晶格结构存在着各种形式的缺陷：

◼点缺陷（空位，间隙原子）

◼线缺陷（位错）

◼面缺陷（层错，晶粒间界）

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◼极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理性

质和化学性质产生决定性的影响，也严重地影响着

半导体的质量。

例如：在硅晶体中，若以10^5个硅原子中掺入一个杂质原子的

比例掺入硼原子，则硅晶体的导电率在室温下将增加1000倍。

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理论分析认为，杂质和缺陷的存在使得原

本周期性排列的原子所产生的周期性势场

受到破坏，并在禁带中引入了能级，允许

电子在禁带中存在，从而使半导体的性质

发生改变。

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2.1.1替位式杂质、间隙式杂质

◼替位式杂质

◼杂质原子的大小与晶体原子相似

◼III、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质

◼间隙式杂质

◼杂质原子小于晶体原子，比如离子锂（半径0.068nm）

◼杂质浓度：单位体积内的杂质原子数

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A：间隙式杂质，B：替位式杂质

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2.1.2施主杂质、施主能级

◼施主（donor）杂质

V族元素在硅、锗中电离时能够释放电子而产生导电电子

并形成正电中心，称此类杂质为施主杂质或n型杂质。

◼施主电离

施主杂质释放电子的过程。

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◼施主能级

被施主杂质束缚的电子的能量状态，记为E，施主电离能

d

量为ΔE=E-E。

Dcd

◼n型半导体（n-typesemiconductor）

依靠导带电子导电的半导体。

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2.1.3受主杂质、受主能级

◼受主（acceptor）杂质

III族元素在硅、锗中电离时能够接受电子而产生导电空穴

并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质